HBAT-5400/-5402型 HBAT-540B/-540C型 HBAT-540E/-540F型高性能肖特基 瞬态抑制二极管

特征

超低串联电阻

用于更高的电流处理

低电容

低串联电阻

提供无铅选项

应用

射频和计算机设计需要电路保护、高速开关和电压夹持。包领导代码识别（俯视图）

说明

肖特基HBAT-5400系列二极管，通常称为钳位二极管电路和波形优化保存应用程序高速切换。低级数阻力，RS，使它们成为理想用于保护敏感电路抗大电流元件在数据线上进行的瞬变。使用皮秒开关HBAT-540x对噪声有响应上升时间与1纳秒。低电容最小化引起信号的波形损失堕落。

绝对最大比率

注：

1.超过这些条件之一的操作可能会导致设备永久损坏。

注：

2.为了有效地对打包的HBAT-540x进行建模产品，请参阅申请说明AN1124。

HBAT-540x直流电气规范，TA=+25度[1]

笔记：

1.TA=+25°C，其中TA定义为与电路板接触的封装引脚处的温度。

2.包装标记代码为激光标记。

3.如果=100毫安；100%测试

4.如果=100微安；100%测试

5.VF=0；f=1兆赫

6.在设计保证的20毫安下用卡考尔法测量。

应用程序信息

肖特基二极管基本原理HBAT-540x系列剪板机/钳位二极管是肖特基的设备。肖特基装置是金属半导体整流金属之间形成的接触n掺杂或p掺杂半导体。当金属-半导体结形成时，自由电子流过半导体结填充自由能态金属。这股电子流产生损耗或潜能穿过交叉路口。能量水平的差异半导体和金属被称为肖特基屏障。P掺杂肖特基势垒二极管擅长需要的应用程序超低开启电压（如零偏压射频探测器）。但是很低的击穿电压高串联电阻不适合剪的以及钳制应用，包括高正向电流和高反向电压。因此，这个讨论将完全集中在掺氮肖特基二极管。在正向偏压下（金属连接到n掺杂肖特基），或正向电压，VF，有很多具有足够热的电子穿过障碍物进入金属的能量。一旦应用的偏差超过了内置的连接点的电位正向电流，如果，将增加随着心室颤动的快速增加。

当肖特基二极管反向偏压，潜在的电子势垒变成大的；因此，有一个小的电子将有足够的热能穿过交叉路口。反面泄漏电流将在毫安至微安范围，取决于二极管类型、反向电压和温度。与传统的p-n相比肖特基结电流二极管只能由多数人携带载体。因为没有少数人载流子电荷存储效应现在，肖特基二极管载流子寿命小于100 ps，速度极快开关半导体。肖特基二极管用作频率为50ghz的整流器更高。另一个显著差异肖特基二极管和p-n二极管之间是正向电压降。肖特基二极管有一个阈值通常为0.3Vp-n结的0.6v电压二极管。见图6。

通过精心的操作肖特基的直径接触与金属选择沉积在掺氮硅上，的重要特征二极管（结电容，寄生串联电阻；击穿电压，VBR；和正向电压，VF，）可以是针对特定应用优化。HSMS-270x系列和HBAT-540x系列二极管是恰到好处。两个二极管都有相似的势垒高度；这由饱和电流对应值为。然而，不同接触直径和外延层厚度导致不同的连接值电容，CJ和RS。这是由表1中的香料参数描述。

在低值IF≤1 mA时二者的正向电压二极管几乎相同。然而，当电流上升到10毫安，低串联电阻HSMS-270x的远低于正向电压。这个给HSMS-270x一个更高的电流处理能力。取舍是更高的价值结电容。前锋电压和电流图说明两者的区别肖特基二极管，如图7。

因为自动选择和放置用于装配的设备这些产品从晶圆上的相邻位置两个二极管进入HBAT-5402或HBAT-540C（系列配对）紧密匹配-没有额外的费用测试和装箱。当前剪辑处理/夹紧电路钳位二极管的作用是处理高电流，保护精密电路二极管下游。当前处理能力已确定根据两组特征，芯片或设备本身的那些还有那些包裹安装在上面。

考虑如下所示的电路图8，其中两个是肖特基二极管用于保护电路上的噪声峰值数字数据流。能力限制电压的二极管尖峰与他们吸收相关的电流峰值。当前的重要性处理能力见图9，前进方向正向产生的电压电流比较为2二极管。第一种是传统的射频电路用一般肖特基二极管7.7欧。第二个是肖特基具有相同特性的二极管，保存1.0Ω的RS。对于传统的二极管RS值高导致二极管两端的电压随着电流的增加而升高。二极管中的功率损耗加热接头，导致RS攀爬，导致逃跑热状况。在第二个低电阻二极管不会发生二极管端子上的电压甚至保持在一个较低的限度在高电流值下。最大可靠性在肖特基二极管状态结温度为保持在或低于150°C，尽管短暂的旅行较高的结温可以被容忍没有意义对平均故障时间的影响，MTTF。为了计算结温，方程式（1） 下面（3）必须同时解决。

IF=正向电流

IS=饱和电流

VF=正向电压

RS=串联电阻

TJ=结温

IO=25°C时的饱和电流

n=二极管理想因子

θJC=热阻

接线盒（二极管引线）

=θ封装+θ芯片

TA=环境（二极管引线）

温度

方程（1）描述了肖特基的 ward V-I曲线二极管。方程式（2）提供二极管的饱和值电流，哪个值被插入进入（1）。方程式（3）给出

结温值

功率耗散函数二极管和环境（铅）温度。

这些方程中的关键因素是：RS，串联电阻产生热量的二极管在大电流条件下；θ芯片，芯片热阻以及θ包，或者封装的热阻。HBAT-540x系列二极管通常为2.4Ω，其他比HSMS-270x系列，这是肖特基二极管中最低的可用。芯片热阻通常为40°C/W；热量铁合金引线框架SOT-23封装的电阻为通常为460°C/W；以及SOT-323封装铜引线框架的电阻为通常为110°C/W。影响包装上的热阻当前处理能力这些二极管可以在图3和图4。这里，结温与正向电流的计算值为显示三个环境值温度。SOT-323产品及其铜引线框架，可安全操作几乎是电流的两倍更大的SOT-23二极管。请注意术语“环境温度”指的是二极管的引线，而不是周围的空气电路板。看得出来HBAT-540B和HBAT-540C产品SOT-323包将安全承受稳态前进当保持二极管端子在75°C时。对于脉冲电流和瞬态电流峰值小于1持续时间微秒路口没有时间达到热稳定状态。此外，二极管结可以被带到更高的温度短时间内低于150°C不影响装置MTTF。因为这些因素，更高电流可以安全处理。HBAT-540x系列具有第二高电流处理任何安捷伦二极管的性能，在HSMS-270x系列旁边。

注意：对于无铅选项，零件号将带有字符“G”最后，例如HBAT-540x-TR2G用于10000无铅卷筒