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  • TN0606N7图
  • 深圳市领航达电子有限公司

     该会员已使用本站1年以上
  • TN0606N7
  • 数量1190 
  • 厂家原厂原标 
  • 封装▇▇▇CDIP▇▇▇ 
  • 批号▇▇▇ROHS▇▇▇ 
  • 原装▇航天航空军工▇价格优好品质▇让少走弯路▇》》》》
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TN0606N7产品参数
型号:TN0606N7
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SUPERTEX INC
零件包装代码:DIP
包装说明:IN-LINE, R-CDIP-T14
针数:14
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.71
其他特性:LOW THRESHOLD
配置:SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):1.6 A
最大漏极电流 (ID):1.6 A
最大漏源导通电阻:2 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):35 pF
JESD-30 代码:R-CDIP-T14
JESD-609代码:e0
元件数量:4
端子数量:14
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:4 W
最大功率耗散 (Abs):4 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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