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  • TPD4E02B04B04QAR图
  • 深圳市芯柏然科技有限公司

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  • TPD4E02B04B04QAR
  • 数量23480 
  • 厂家TI 
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TPD4E02B04DQAR产品参数
型号:TPD4E02B04DQAR
Brand Name:Texas Instruments
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-N10
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:8 weeks
风险等级:1.74
最大击穿电压:7.5 V
最小击穿电压:5.5 V
击穿电压标称值:6.4 V
配置:COMPLEX
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-N10
JESD-609代码:e4
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:17 W
元件数量:4
端子数量:10
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性:BIDIRECTIONAL
参考标准:IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5
最大重复峰值反向电压:3.6 V
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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