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型号: | UPD44165182AF5-E40Y-EQ2-A |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active |
IHS 制造商: | RENESAS ELECTRONICS CORP |
零件包装代码: | BGA |
包装说明: | LBGA, BGA165,11X15,40 |
针数: | 165 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.55 |
最长访问时间: | 0.45 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 250 MHz |
I/O 类型: | SEPARATE |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B165 |
JESD-609代码: | e1 |
长度: | 15 mm |
内存密度: | 18874368 bit |
内存集成电路类型: | QDR SRAM |
内存宽度: | 18 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 165 |
字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX18 |
输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA |
封装等效代码: | BGA165,11X15,40 |
封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 1.5/1.8,1.8 V |
认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.51 mm |
最大待机电流: | 0.31 A |
最小待机电流: | 1.7 V |
子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.66 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 13 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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