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| 型号: | VMMK-1218-BLKG |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | BROADCOM LTD |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 5 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A |
| FET 技术： | HIGH ELECTRON MOBILITY |
| 最高频带： | KU BAND |
| JESD-30 代码： | R-XBCC-N3 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.3 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 6.7 dB |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET RF Small Signal |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
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