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W25Q16DVSSIG产品参数
型号:W25Q16DVSSIG
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:WINBOND ELECTRONICS CORP
零件包装代码:SOIC
包装说明:SOIC-8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:7.99
Samacsys Description:Flash memory 16mbit
最大时钟频率 (fCLK):104 MHz
数据保留时间-最小值:20
耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:S-PDSO-G8
JESD-609代码:e3
长度:5.23 mm
内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:1
功能数量:1
端子数量:8
字数:16777216 words
字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:16MX1
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.3
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V
编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.16 mm
串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
类型:NOR TYPE
宽度:5.23 mm
写保护:HARDWARE/SOFTWARE
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