芯片W29C040-90B的概述
W29C040-90B是一款广泛应用的EPROM(可擦除可编程只读存储器)芯片,具有较大的存储容量和高速度的读取能力。该芯片由Winbond Electronics Corporation生产,因其稳定性和可靠性,广泛应用于嵌入式系统、消费电子和工业控制等领域。
芯片W29C040-90B的详细参数
W29C040-90B的主要技术参数包括:
- 存储容量:4M位,即512K字节。 - 存取时间:90纳秒,适用于多数高速应用。 - 工作电压:芯片的工作电压范围在3.0V至5.5V之间,这使得它能够在多种电源条件下运行。 - 编程电压:通常在12V左右,用于编程和数据写入。 - 擦除周期:可进行超过10000次的擦除和编程周期,适合多次写入和数据更新的应用场景。 - 数据保持时间:高达20年,确保数据在断电状态下的长时间保存能力。
芯片W29C040-90B的厂家、包装和封装
W29C040-90B由Winbond Electronics Corporation生产。作为一家在存储器领域享有声誉的半导体制造商,Winbond专注于各种类型的存储芯片。W29C040-90B通常以多种包装形式提供,包括28引脚的DIP(双列直插式封装)、SOP(小型封装)和TSOP(薄小型封装)。这种多样的封装选择使得W29C040-90B可以方便地集成到不同的电路板设计中。
芯片W29C040-90B的引脚和电路图说明
W29C040-90B的引脚配置如下:
1. A0-A18:地址输入,选择存储器中的特定地址。 2. D0-D7:数据输入/输出,进行数据的读写操作。 3. CE:芯片使能,当CE为低电平时,芯片被激活。 4. OE:输出使能,使得数据可以从芯片中输出。 5. WE:写使能信号,控制数据的写入。 6. Vcc:电源正极,通常连接到3.0V-5.5V的电源。 7. GND:电源地,连接到电源的地线。 8. PB:编程和擦除控制,引脚用于进入编程模式。 9. Vpp:编程电压供给引脚,通常连接到12V。
芯片的电路图中,W29C040-90B的引脚通常与主控器件、时钟电路和其他外围控制电路连接,形成完整的系统。电路图能够指导工程师更好地布置线路,使得信号能够有效传输,并确保系统的稳定性。
芯片W29C040-90B的使用案例
W29C040-90B的应用范围相当广泛,以下是一些使用案例:
1. 嵌入式系统:由于其大容量和可靠性,W29C040-90B经常被用作嵌入式系统的固件存储器。例如,在微控制器系统中,可能需要将固件和配置信息存储在此EPROM中,以便在系统启动时读取。
2. 汽车电子:在汽车电子计算机中,W29C040-90B可用于存储各种控制算法和参数设置,例如发动机控制单元(ECU)中的软件配置。这种应用强调了芯片的稳定性和持久性,确保即使在严苛的工作环境下也能正常工作。
3. 消费电子:许多消费电子产品,如家电、音响和游戏机,都利用W29C040-90B来存储操作系统或用户设置数据。这使得产品在更新或重启后,依然能够保持用户的个性化配置。
4. 数据记录器:在工业和医疗设备中,数据记录器可以使用W29C040-90B来存储测量的数据和日志信息。这些数据在后续分析和故障诊断过程中至关重要。
5. 特定应用程序开发:开发者在进行电路设计和应用程序开发时,通常会利用W29C040-90B进行原型开发。其灵活的编程周期和较高的存取速度,使开发者可以方便地进行测试和迭代。
通过灵活选择电路设计和应用环境,W29C040-90B为各种项目提供了强大的支持。不论是在日常生活中,还是在工业控制领域,它的应用均显示出其独特的优势和价值。
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型号: | W29C040-90B |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | WINBOND ELECTRONICS CORP |
零件包装代码: | DIP |
包装说明: | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.85 |
最长访问时间: | 90 ns |
启动块: | BOTTOM/TOP |
命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 |
长度: | 41.91 mm |
内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 2K |
端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | |
组织: | 512KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE |
页面大小: | 256 words |
并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.33 mm |
部门规模: | 256 |
最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO |
技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE |
宽度: | 15.24 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
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