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| 型号: | W3H32M72E-400SBI |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | MICROSEMI CORP |
| 包装说明： | BGA, BGA208,11X19,40 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 0.6 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz |
| I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B208 |
| 内存密度： | 2415919104 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 72 |
| 端子数量： | 208 |
| 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32MX72 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA208,11X19,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY |
| 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 |
| 最大待机电流： | 0.035 A |
| 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 1.7 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| Base Number Matches： | 1 |
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