芯片W9425G6DH-5的概述
W9425G6DH-5是一款由Winbond Electronics Corporation(威骏电子)设计和制造的动态随机存取存储器芯片(DRAM)。这种存储器常用于各种电子设备中,如计算机、服务器和其他消费电子产品。主要应用在需要快速数据处理和高存储容量的场景中,W9425G6DH-5经过精心优化,以满足现代计算需求的日益增长。
W9425G6DH-5属于DDR2 SDRAM系列的产品,支持双倍数据速率的访问方法,从而提高了数据传输速率。其特点是高带宽、低功耗和高密度储存能力,这使其在市场上具有竞争力。与传统的SDRAM相比,DDR2 SDRAM在时钟速度和数据传输效率方面表现优越。
芯片W9425G6DH-5的详细参数
W9425G6DH-5的技术参数如下:
- 技术规范:DDR2 SDRAM - 容量:512Mb(256M × 16bit) - 时钟频率:最大达533 MHz - 内存速度:数据传输率可达4.2GB/s - 工作电压:2.5V - 延迟参数:CL=4(时延) - 封装类型:FBGA(Fine Ball Grid Array) - 引脚数:60引脚 - 工作温度范围:0°C至70°C
这些参数提供了W9425G6DH-5在多种电子设备中的应用能力,针对高性能、低功耗的设计需求,W9425G6DH-5能够提供稳定的性能。
芯片W9425G6DH-5的厂家、包装、封装
W9425G6DH-5的制造商Winbond Electronics Corporation成立于1987年,是一家知名的半导体制造公司,专注于存储器产品的研发和制造。该公司以其高品质的存储解决方案而受到行业的广泛认可。
关于W9425G6DH-5的包装,通常采用FBGA封装形式,该封装具有较小的面积和出色的散热性能。这种封装形式使得W9425G6DH-5能够适应现代电子设备日益减少的板空间要求。同时,FBGA封装也能提高芯片的电气性能,减小信号延迟和电磁干扰。
芯片W9425G6DH-5的引脚和电路图说明
W9425G6DH-5的引脚定义是其功能实现的关键。该芯片有60个引脚,每个引脚具有不同的功能,如下所示:
- 电源引脚:包括Vdd(供电)、Vss(地线)引脚,通常位于芯片的四角。 - 数据引脚:DQS(数据选通),DQ(数据引脚)用于数据的读写操作。 - 地址引脚:用于定位存储器中的特定单元。 - 控制引脚:如CS(芯片选择)、RAS(行地址选择)、CAS(列地址选择)、WE(写使能)等,控制数据读写过程中的时序和操作。
电路图中,W9425G6DH-5的连接方式通常包括与微处理器或控制器的多条数据线和地址线,以确保有效的双向数据传输。
芯片W9425G6DH-5的使用案例
W9425G6DH-5在多个领域中得到了广泛应用,以下是一些具体的使用案例:
1. 个人电脑: 在个人计算机系统中,W9425G6DH-5常用作主存储器。其高带宽和低延迟特性使其能够快速加载操作系统和应用程序,提高用户体验。尤其是在执行大型程序或进行多任务处理时,W9425G6DH-5能够根据需要快速响应。
2. 网络设备: 在现代路由器和交换机中,该芯片通过支持快速的缓存操作,提高数据包的处理速度,以满足网络中不断增加的数据流量需求。其低功耗特性也使得设备在长时间工作下依然能够保持稳定运行。
3. 游戏控制台: 在视频游戏控制台中,W9425G6DH-5作为内存组件,支持实时数据处理,提升游戏运行的流畅性与速度。高带宽的特性能够及时读取和加载高分辨率的图形数据,为用户提供沉浸式的游戏体验。
4. 移动设备: 该芯片也在智能手机和平板电脑等移动设备中找到了应用,其小型封装和低功耗特点非常适合便携式设备的设计要求,确保在长时间使用的情况下,设备能够持续工作而不会导致过热和能耗过高。
5. 工业控制系统: 在工业自动化领域,W9425G6DH-5作为控制器及时获取和存储数据,确保了操作过程的高效性与稳定性,适用于生产线监控、数据采集等任务中。
通过这些应用实例,可以看到W9425G6DH-5在现代电子产品中的重要性,以及其设计和性能如何影响整体系统的效率和功能。随着技术的不断发展,预计这样的存储器芯片将继续在多个新兴领域中发挥重要作用。
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型号: | W9425G6DH-5 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSSOP, TSSOP66,.46 |
针数: | 66 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.24 |
风险等级: | 5.79 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.7 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz |
I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G66 |
长度: | 22.22 mm |
内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 |
端子数量: | 66 |
字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | |
组织: | 16MX16 |
输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP66,.46 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 2,4,8 |
最大待机电流: | 0.02 A |
子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.3 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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