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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 深圳市斌腾达科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家WINBOND 
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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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产品型号W947D6HBHX6E的概述

芯片W947D6HBHX6E的概述 W947D6HBHX6E是一款由威盛(Winbond)公司推出的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片广泛应用于计算机和其他电子设备中,以其较高的存储密度和速度成为了众多应用的选择。W947D6HBHX6E特别适用于需要快速存取和高数据传输速率的场景,如图形...
配单直通车
W947D6HBHX6E产品参数
型号:W947D6HBHX6E
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:WINBOND ELECTRONICS CORP
零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA, BGA60,9X10,32
针数:60
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.41
Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):166 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8,16
JESD-30 代码:R-PBGA-B60
长度:9 mm
内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:60
字数:8388608 words
字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C
组织:8MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA60,9X10,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096
座面最大高度:1.025 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8,16
最大待机电流:0.00001 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mm
Base Number Matches:1
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