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| 型号: | WED9LC6816V1612BI |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | MICROSEMI CORP |
| 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA, BGA153,9X17,50 |
| 针数： | 153 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LG-MAX; WD-MAX; SEATED HT-CALCULATED |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B153 |
| 长度： | 22.1 mm |
| 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度： | 32 |
| 混合内存类型： | SDRAM+SRAM |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 153 |
| 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 4MX32 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA153,9X17,50 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.58 mm |
| 最大待机电流： | 0.04 A |
| 子类别： | Other Memory ICs |
| 最大压摆率： | 0.7 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 14.1 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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