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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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产品型号ZTX696B的概述

芯片ZTX696B的概述 ZTX696B是一款广泛应用于低功耗放大器和开关电路的NPN晶体管,具有较高的电流增益和高频性能,适合用于多种电子设备中的信号放大。这款芯片主要用于音频放大、信号处理、射频和遥控器等应用中,因其出色的性能和可靠性受到设计工程师的青睐。 ZTX696B的工作频率范围广,最大工作频率可达150MHz,因此在射频和脉冲电路中能表现出色。它的特点包括低噪声、快速切换时间和良好的热稳定性,适合在高要求的电路中使用。由于其小巧的封装,便于集成于各种小型设备中,ZTX696B成为现代电子产品设计的重要选择之一。 芯片ZTX696B的详细参数 ZTX696B的电气参数包括: - 类型: NPN - 最大集电极—基极电压 (Vce): 60V - 最大集电极—发射极电压 (Vce): 60V - 最大发射极—基极电压 (Veb): 5V - 最大直流电流 (Ic): 800mA...

产品型号ZTX696B的Datasheet PDF文件预览

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH GAIN TRANSISTOR  
ISSUE 3 - NOVEMBER 1995  
ZTX696B  
FEATURES  
*
*
*
180 Volt VCEO  
Gain of 500 at IC=100mA  
Very low saturation voltage  
APPLICATIONS  
*
*
*
*
Darlington replacement  
Battery powered circuits  
Motor drivers  
C
B
E
E-Line  
Relay / solenoid drivers  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Peak Pulse Current  
180  
180  
5
V
V
1
A
Continuous Collector Current  
Practical Power Dissipation *  
IC  
0.5  
1.5  
A
Ptotp  
Ptot  
W
Power Dissipation at Tamb=25°C  
derate above 25°C  
1
5.7  
W
mW/°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
°C  
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C)  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
180  
180  
5
V
V
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
ICBO  
0.1  
0.1  
VCB=145V  
µA  
µA  
IEBO  
VEB=4V  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
0.2  
0.2  
0.25  
V
V
V
IC=50mA, IB=0.5mA*  
IC=100mA, IB=2mA*  
IC=200mA, IB=5mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
0.9  
0.9  
V
IC=200mA, IB=5mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
V
IC=200mA, VCE=5V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
500  
150  
IC=100mA, VCE=5V*  
IC=200mA, VCE=5V*  
3-247  
ZTX696B  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C)  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Transition Frequency  
fT  
70  
MHz  
IC=50mA, VCE=5V  
f=50MHz  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Switching Times  
Cibo  
200  
6
pF  
pF  
VEB=0.5V, f=1MHz  
VCE=10V, f=1MHz  
Cobo  
ton  
toff  
80  
4400  
ns  
ns  
IC=100mA, IB!=10mA  
IB2=10mA, VCC=50V  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%  
THERMAL CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
SYMBOL  
MAX.  
UNIT  
Thermal Resistance:Junction to Ambient1  
Junction to Ambient2  
Junction to Case  
Rth(j-amb)1  
Rth(j-amb)2  
Rth(j-case)  
175  
116  
70  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
†
† Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.  
3-248  
ZTX696B  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
IC/IB=100  
IC/IB=50  
IC/IB=10  
Tamb=25°C  
-55°C  
+25°C  
+100°C  
+175°C  
IC/IB=50  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
0
0.01  
0.1  
1
10  
0.01  
0.1  
1
10  
IC - Collector Current (Amps)  
IC - Collector Current (Amps)  
VCE(sat) v IC  
VCE(sat) v IC  
+100°C  
+25°C  
-55°C  
VCE=5V  
-55°C  
+25°C  
+100°C  
+175°C  
1.6  
IC/IB=50  
1.6  
1.4  
1.2  
1.5K  
1K  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.6  
0.4  
0.2  
500  
0
0
0.01  
0.1  
10  
1
0
0.01  
0.1  
1
10  
IC - Collector Current (Amps)  
IC - Collector Current (Amps)  
BE(sat)  
FE  
h
C
v I  
C
v I  
V
Single Pulse Test at Tamb=25°C  
1
-55°C  
+25°C  
+100°C  
+175°C  
VCE=5V  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.1  
D.C.  
1s  
100ms  
10ms  
1.0ms  
0.1ms  
0.01  
0.4  
0.2  
0
0
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
1
10  
100  
1000  
IC - Collector Current (Amps)  
BE(on)  
VCE - Collector Voltage (Volts)  
C
V
v I  
Safe Operating Area  
3-249  
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