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产品型号ZTX956的概述

芯片ZTX956的概述 ZTX956是一款广泛应用于各种电子设备中的NPN型晶体管，主要用于信号放大、开关控制及高频放大等场合。得益于其优良的电性能，ZTX956在音频放大器、无线电发射和接收设备以及其他需要小信号放大的应用中得到了广泛的使用。它的设计满足了高效率、低噪声和优秀的线性度，适合于多种电路配置。在现代电子器件中，ZTX956因其出色的技术参数，特别是在高频和低功耗领域的表现，成为设计师和工程师们的优选组件。随着电子产品对集成度和功耗的需求提高，ZTX956凭借其卓越的性能满足了这些要求。芯片ZTX956的详细参数 ZTX956的技术参数如下： - 材料：硅(Si) - 类型：NPN - 最大集电极-发射极电压，Vce：60V - 最大集电极电流，Ic：3A - 最大耗散功率，Pd：1.5W - 直流增益，hFE：最低值为100（在Ic=150mA时） - 工作频率：最大...

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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH CURRENT TRANSISTOR

ISSUE 3 JUNE 94

ZTX956

FEATURES

*

2 Amps continuous current

Up to 5 Amps peak current

Very low saturation voltage

Excellent gain characteristics up to 2 Amps

Spice model available

C

B

E

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

V

Collector-Base Voltage

-220

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-200

V

-6

V

Peak Pulse Current

-5

-2

A

Continuous Collector Current

Practical Power Dissipation*

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

A

P_totp

P_tot

1.58

W

°C

1.2

T_j:T_stg

-55 to +200

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C unless otherwise stated)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CER

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-220

-200

-6

-300

-240

-8

V

I_C=-100µA

Collector-Emitter Breakdown

Voltag

IC=-1µA, RB ≤1KΩ

I_C=-10mA*

Collector-Emitter Breakdown

Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

I_E=-100µA

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

-50

-1

nA

µA

V_CB=-200V

V_CB=-200V, T_amb=100°C

I_CER

R ≤1KΩ

-50

-1

nA

µA

V_CB=-200V

V_CB=-200V, T_amb=100°C

I_EBO

-10

nA

V_EB=-6V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

-30

-110

-150

-50

-150

-250

mV

I_C=-100mA, I_B=-10mA*

I_C=-1A, I_B=-100mA*

I_C=-2A, I_B=-400mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

-920

-1050 mV

I_C=-2A, I_B=-400mA

3-324

ZTX956

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Base-Emitter

Turn-On Voltage

V_BE(on)

-770

-900

mV

IC=-2A, V_CE=-5V*

Static Forward

Current Transfer Ratio

h_FE

100

50

200

150

10

I_C=-10mA, V_CE=-5V*

I_C=-1A, V_CE=-5V*

I_C=-2A, V_CE=-5V*

I_C=-5A, V_CE=-5V*

300

Transition Frequency

f_T

110

MHz

pF

I_C=-100mA, V_CE=-10V

f=50MHz

Output Capacitance

Switching Times

C_obo

32

V_CB=-20V, f=1MHz

t_on

t_off

67

1140

ns

I_C=-1A, I_B1=-100mA

I_B2=100mA, V_CC=-50V

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

MAX.

UNIT

Thermal Resistance: Junction to Ambient

Junction to Case

R_th(j-amb)

R_th(j-case)

150

50

°C/W

4.0

3.0

2.0

1.0

D.C.

150

t

1

D=t

1/tP

100

50

0

t_P

D=0.6

D=0.2

D=0.1

D=0.05

Single Pulse

-40 -20

0

20

0.0001 0.001

0.01

0.1

1

10

100

40 60 80 100 120 140 160 180 200

T -Temperature (°C)

Pulse Width (seconds)

Derating curve

Maximum transient thermal impedance

3-325

ZTX956

TYPICAL CHARACTERISTICS

I_C/I_B=5

-55°C

+25°C

+175°C

I^C/I^B=5

I^C/I^B=20

T^amb=25°C

1.6

1.4

1.2

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.01

0.1

1

10 20

0.01

0.1

1

10 20

I^C- Collector Current (Amps)

VCE(sat) v IC

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

+100°C

+25°C

-55°C

V_CE=5V

I^C/I^B=10

1.6

1.4

1.2

300

200

100

1.4

1.2

1.0

0.8

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.6

0.4

0.2

0

0.01

0.1

10 20

1

0

0.01

0.1

1

10 20

IC - Collector Current (Amps)

FE

IC - Collector Current (Amps)

BE(sat)

C

v I

h

v I

V

Single Pulse Test at T^amb=25°C

10

1

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

V^CE=5V

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

D.C.

1s

100ms

10ms

1.0ms

0.1ms

0.1

0

0.01

0.1

1

10 20

0.01

1

10

100

1000

IC - Collector Current (Amps)

BE(on)

VCE - Collector Voltage (Volts)

C

V

v I

Safe Operating Area

3-326

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型号:	ZTX956
是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred
包装说明：	TO-92 COMPATIBLE, 3 PIN
Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.1
最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1
元件数量：	1
端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	110 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V
Base Number Matches：	1

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