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产品型号ZVN3306A的概述

芯片ZVN3306A的概述 ZVN3306A是一款广泛使用的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于Power MOSFET类别。这款芯片因其优越的电气性能和良好的热特性，在功率电子领域中得到了广泛应用。ZVN3306A的运行电压和电流规格使其特别适合用于开关电源、直流-直流转换器，以及其他需要高效率的电源管理系统。MOSFET因其开关速度快、耐压高等优点，相较于传统的双极型晶体管（BJT）具有更高的效率和更低的功耗。芯片ZVN3306A的详细参数 ZVN3306A的详细参数包括电气特性和热特性。下面列出一些关键参数： - 最大漏极源极电压（V_DS）: 55V - 最大漏极电流（I_D）: 30A - 最大栅源电压（V_GS）: ±20V - 导通电阻（R_DS(on)）: 0.13Ω（在V_GS = 10V时） - 开关时间（t_on）: 60ns - 关断时间（...

产品型号ZVN3306A的Datasheet PDF文件预览

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN3306A

ISSUE 2 – MARCH 94

FEATURES

60 Volt V_DS

R_DSon)=5Ω

E-Line

TO92 Com patible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo ltag e

270

Co n tin u o u s Dra in Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls e d Dra in Cu rre n t

I_D

m A

I_DM

Ga te-S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

625

m W

°C

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre akd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}

I_D=1m A, V_GS=0V

Ga te-S o u rce Th res h o ld

Vo lta g e

V_{GS (th )}

0.8

2.4

ID=1m A, V_DS= V_GS

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

n A

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

0.5

V_DS=60V, V_GS=0

µA

V_DS=48V, V_GS=0V, T=125°C(2)

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

750

150

m A

V_DS=18V, V_GS=10V

V_GS=10V,I_D=500m A

S ta tic Drain -S o u rce On -S ta te

Res is ta n ce (1)

R_{DS (o n )}

Ω

Fo rw a rd Tra n s co n d u ctan ce(1)(2g _fs

)

m S

V_DS=18V,I_D=500m A

In p u t Ca p a citan ce (2)

C_{is s}

C_{o s s}

p F

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

V_DS=18V, V_GS=0V, f=1MHz

Reve rs e Tra n s fe r Ca p acita n ce C_{rs s}

(2)

p F

Tu rn -On De lay Tim e (2)(3)

Ris e Tim e (2)(3)

t_{d (o n )}

n s

t_r

V_DD≈18V, I_D=500m A

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)

Fa ll Tim e (2)(3)

t_{d (o ff)}

t_f

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%

3-375

(

2) Sam ple test.

ZVN3306A

TYPICAL CHARACTERISTICS

VGS=10V

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

ID=

0.5A

0.25A

VDS - Drain Source Voltage (Volts)

VGS -Gate Source Voltage (Volts)

Saturation Characteristics

Voltage Saturation Characteristics

1.0

VDS=10V

0.8

0.6

0.4

0.2

ID=

0.5A

0.25A

V^GS-Gate Source Voltage (Volts)

VGS-Gate Source Voltage (Volts)

Transfer Characteristics

On-resistance vs gate-source voltage

2.4

200

180

160

140

ID=-0.5A

2.2

2.0

1.8

1.6

e R

120

100

VDS=18V

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-S

0.4

-80 -60 -40 -20

0 20 40 60 80 100 120 140 160

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0

ID(on) - Drain Current (Amps)

T-Temperature (C°)

Transconductance v drain current

Normalised R^DS(on)and V^GS(th)vs Temperature

3-376

ZVN3306A

TYPICAL CHARACTERISTICS

200

180

160

140

120

100

VDS=18V

Ciss

Coss

Crss

VGS-Gate Source Voltage (Volts)

VDS-Drain Source Voltage (Volts)

Transconductance v gate-source voltage

Capacitance v drain-source voltage

VDD=20V

50V

30V

ID=800m A

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4

Q-Charge (nC)

Gate charge v gate-source voltage

3-377

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ZVN3306A产品参数

型号:	ZVN3306A
是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete
IHS 制造商：	ZETEX PLC
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.02
Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.27 A
最大漏极电流 (ID)：	0.27 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	8 pF
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1
元件数量：	1
端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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