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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市科庆电子有限公司

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ZVN4306A产品参数和技术文档

ZVN4306A产品图

ZVN4306A产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.84000
$1.84
10
1.62600
$16.26
100
1.28480
$128.48
500
0.99636
$498.18
1,000
0.78660
$786.60

ZVN4306A产品参数

品牌:Diodes Incorporated

描述:MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

详细描述:通孔 N 沟道 60V 1.1A(Ta) 850mW(Ta) TO-92-3

制造商:Diodes Incorporated

系列:-

包装:散装

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.1A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):330 毫欧 @ 3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):350pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):850mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-92-3

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

标准包装:4,000

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批量询价选中的记录已选中0条,每次最多15条。