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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 深圳市科雨电子有限公司

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    • 首天国际（深圳）科技有限公司

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    • 深圳市凯信扬科技有限公司

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    • 首天国际（深圳）集团有限公司

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    • 深圳市科雨电子有限公司

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    • 171-4755-1968（微信同号） QQ:97877807
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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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    • 深圳市誉兴微科技有限公司

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    • 厂家ZetexInc 
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    • 深圳原装现货，支持实单
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    • 万三科技(深圳)有限公司

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    • ZVN4306AV
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    • 厂家Diodes Inc 
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    • 批号23+ 
    • 支持实单/只做原装
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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 数量65000 
    • 厂家ZetexInc 
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    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921
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    • 深圳市创思克科技有限公司

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    • 全新原装挺实单欢迎来撩/可开票
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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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    • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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    • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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    • 一级代理,原装特价现货！
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    • 现代芯城（深圳）科技有限公司

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    • 厂家一级代理 
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    • 批号一级代理 
    • 一级代理正品采购
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    • 0755-82542579 QQ:3007226851QQ:3007226849
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    • 深圳市高捷芯城科技有限公司

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    • ZVN4306AV
    • 数量10613 
    • 厂家DIODES(美台) 
    • 封装TO-92 
    • 批号23+ 
    • 支持大陆交货，美金交易。原装现货库存。
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    • 0755-83062789 QQ:3007977934QQ:3007947087
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    • 集好芯城

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    • 深圳市正信鑫科技有限公司

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    • 批号22+ 
    • 原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
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    • 0755-22655674 QQ:1686616797QQ:2440138151
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    • 深圳市积美福电子科技有限公司

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    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • ▉▉￥13.2元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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    • 昂富（深圳）电子科技有限公司

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    • 批号23+ 
    • 一站式BOM配单,短缺料找现货,怕受骗,就找昂富电子.
    • QQ:GTY82dX7
    • 0755-23611557【陈妙华 QQ:GTY82dX7
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    • 深圳市芳益电子科技有限公司

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    • ZVN4306AV
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    • 原装现货大量库存 低价出售 欢迎加Q详谈
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    • 深圳市和谐世家电子有限公司

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    • ZVN4306A ELINE XPB图

    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • ZVN4306A ELINE XPB
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 深圳市科庆电子有限公司

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    • 万三科技(深圳)有限公司

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    • 数量6500000 
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    • 万三科技 秉承原装 实单可议
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    • 深圳市原力达电子有限公司

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    • 热卖库存*进口原装
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    • 755-28197027-806 QQ:3007518861QQ:3007518827

    产品型号ZVN4306A的概述

    一、芯片ZVN4306A的概述 ZVN4306A是一款具有较高性能的N沟道MOSFET（场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关应用。它在电子设备中能够有效地实现高效的电流开关，尤其适合在低电压条件下工作。由于其较低的导通电阻和快速的开关特性，ZVN4306A常被设计用于开关电源、马达驱动、以及其他需要高电流控制的电路中。 二、芯片ZVN4306A的详细参数 ZVN4306A的详细技术参数如下： - 类型：N沟道MOSFET - 最大漏极-源极电压（Vds）：55V - 最大连续漏极电流（Id）：15A - 最大脉冲漏极电流（Id(pulse)）：30A - 导通电阻（Rds(on)）：≤ 0.045Ω（Vgs = 10V 时） - 门源极阈值电压（Vgs(th)）：1V - 3V - 最大功耗（Ptot）：94W - 工作温度范围：-55°C 至 150°C - 封装类型：TO-220...

    产品型号ZVN4306A的Datasheet PDF文件预览

    N-CHANNEL ENHANCEMENT  
    MODE VERTICAL DMOS FET  
    ZVN4306A  
    ISSUE 3 – JULY 94  
    FEATURES  
    *
    *
    *
    60 Volt VDS  
    RDS(on)= 0.33Ω  
    Spice model available  
    D
    G
    S
    APPLICATIONS  
    *
    *
    DC-DC convertors  
    Solenoids / relay drivers for automotive  
    E-Line  
    TO92 Compatible  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    VALUE  
    UNIT  
    Drain-Source Voltage  
    VDS  
    ID  
    60  
    1.1  
    1.3  
    V
    A
    A
    Continuous Drain Current at Tamb=25°C  
    Practical Continuous Drain Current at  
    IDP  
    T
    amb=25°C  
    Pulsed Drain Current  
    IDM  
    15  
    ± 20  
    A
    V
    Gate Source Voltage  
    VGS  
    Power Dissipation at Tamb=25°C  
    Practical Power Dissipation at Tamb=25°C*  
    Operating and Storage Temperature Range  
    Ptot  
    850  
    mW  
    W
    Ptotp  
    Tj:Tstg  
    1.13  
    -55 to +150  
    °C  
    *The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a P.C.B.  
    with copper equal to 1 inch square minimum  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
    = 25°C unless otherwise stated).  
    amb  
    SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
    PARAMETER  
    Drain-Source  
    Breakdown Voltage  
    BVDSS  
    60  
    V
    ID=1mA, VGS=0V  
    Gate-Source  
    Threshold Voltage  
    VGS(th)  
    1.3  
    3
    V
    ID=1mA, VDS= VGS  
    Gate-Body Leakage  
    IGSS  
    IDSS  
    100  
    nA  
    V
    GS=± 20V, VDS=0V  
    Zero Gate Voltage  
    Drain Current  
    10  
    100  
    V
    V
    DS=60V, VGS=0  
    DS=48V, VGS=0V, T=125°C(2)  
    µA  
    µA  
    On-State Drain  
    Current(1)  
    ID(on)  
    12  
    A
    VDS=10V, VGS=10V  
    Static Drain-Source  
    On-State Resistance  
    (1)  
    RDS(on)  
    0.22  
    0.32  
    0.33  
    0.45  
    V
    V
    GS=10V,ID=3A  
    GS=5V, ID=1.5A  
    Ω
    Ω
    Forward  
    gfs  
    700  
    mS  
    VDS=25V,ID=3A  
    Transconductance  
    (1)(2)  
    3-390  
    ZVN4306A  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
    amb  
    otherwise stated).  
    = 25°C unless  
    PARAMETER  
    SYMBOL MIN. TYP.  
    MAX. UNIT CONDITIONS.  
    Input Capacitance (2) Ciss  
    350  
    140  
    pF  
    pF  
    Common Source  
    Output Capacitance  
    (2)  
    Coss  
    VDS=25 V, VGS=0V, f=1MHz  
    Reverse Transfer  
    Capacitance (2)  
    Crss  
    30  
    8
    pF  
    ns  
    Turn-On Delay Time td(on)  
    (2)(3)  
    VDD≈25V, VGEN=10V, ID=3A  
    Rise Time (2)(3)  
    tr  
    25  
    30  
    ns  
    ns  
    Turn-Off Delay Time td(off)  
    (2)(3)  
    Fall Time (2)(3)  
    tf  
    16  
    ns  
    (1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%  
    (2) Sample test.  
    (3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator  
    THERMAL CHARACTERISTICS  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    MAX.  
    UNIT  
    Thermal Resistance:Junction to Ambient  
    Junction to Case  
    Rth(j-amb)  
    Rth(j-case)  
    150  
    50  
    °C/W  
    °C/W  
    1.0  
    D.C.  
    150  
    t1  
    D=t1/tP  
    0.75  
    Am  
    bie  
    100  
    50  
    0
    tP  
    D=0.6  
    nt t  
    0.50  
    e
    mpe  
    r
    at  
    D=0.2  
    D=0.1  
    0.25  
    u
    r
    e
    D=0.05  
    Single Pulse  
    -40 -20  
    0
    20  
    0.0001 0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    40 60 80 100 120 140 160 180 200  
    T -Temperature (°C)  
    Pulse Width (seconds)  
    Derating curve  
    Maximum transient thermal impedance  
    3-391  
    ZVN4306A  
    TYPICAL CHARACTERISTICS  
    VGS=  
    10V  
    12V  
    9V  
    8V  
    20V  
    VGS=3V  
    3.5V  
    6V  
    5V  
    12  
    11  
    10  
    10  
    7V  
    9
    8
    7
    6
    5
    6V  
    5V  
    1.0  
    8V  
    4
    3
    2
    1
    10V  
    4V  
    3.5V  
    3V  
    0
    0.1  
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10  
    100  
    0.1  
    1
    10  
    VDS - Drain Source Voltage (Volts)  
    ID-Drain Current (Amps)  
    Saturation Characteristics  
    On-resistance v drain current  
    2.6  
    2.4  
    2.2  
    2.0  
    1.8  
    1.6  
    5
    V
    GS=10V  
    ID=3A  
    4
    3
    e R  
    c
    n
    ta  
    s
    esi  
    e R  
    VDS=10V  
    rc  
    1.4  
    1.2  
    1.0  
    0.8  
    0.6  
    u
    2
    1
    o
    S
    -
    n
    Drai  
    V
    GS=VDS  
    ID=1mA  
    Gate Threshold Voltage VGS(TH)  
    150  
    175 200 225  
    0
    -50  
    100  
    -25  
    0
    25 50 75  
    125  
    0
    2
    6
    8
    10 12  
    16 18 20  
    4
    14  
    ID(on)- Drain Current (Amps)  
    Tj-Junction Temperature (°C)  
    Transconductance v drain current  
    Normalised RDS(on) and VGS(th) v Temperature  
    VDD=  
    16  
    14  
    20V  
    40V  
    60V  
    500  
    400  
    300  
    I
    D=3A  
    12  
    10  
    8
    C
    iss  
    200  
    100  
    0
    6
    4
    2
    0
    C
    oss  
    C
    rss  
    0
    10  
    20  
    30 40  
    50  
    60  
    70  
    80  
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10 11 12  
    VDS-Drain Source Voltage (Volts)  
    Q-Charge (nC)  
    Capacitance v drain-source voltage  
    Gate charge v gate-source voltage  
    3-392  
    配单直通车
    ZVN4306A产品参数
    型号:ZVN4306A
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Obsolete
    包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
    Reach Compliance Code：not_compliant
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.21.00.95
    风险等级：5.04
    配置：SINGLE
    最小漏源击穿电压：60 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.1 A
    最大漏极电流 (ID)：1.1 A
    最大漏源导通电阻：0.33 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    最大反馈电容 (Crss)：30 pF
    JESD-30 代码：O-PBCY-W3
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：1
    元件数量：1
    端子数量：3
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度：200 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：ROUND
    封装形式：CYLINDRICAL
    峰值回流温度（摄氏度）：260
    极性/信道类型：N-CHANNEL
    认证状态：Not Qualified
    子类别：FET General Purpose Power
    表面贴装：NO
    端子面层：Matte Tin (Sn)
    端子形式：WIRE
    端子位置：BOTTOM
    处于峰值回流温度下的最长时间：40
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
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