ZVN4310A产品参数

品牌：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3

详细描述：通孔 N 沟道 100V 900mA（Ta） 850mW（Ta） TO-92-3

制造商：Diodes Incorporated

系列：-

包装：散装

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：900mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：500 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：350pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：850mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-92-3

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

标准包装：4,000

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）