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品牌:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 900mA(Ta) 850mW(Ta) TO-92-3
制造商:Diodes Incorporated
系列:-
包装:散装
零件状态:在售
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):900mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):500 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):350pF @ 25V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):850mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-92-3
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
标准包装:4,000
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
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