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  • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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  • 支持实单/只做原装
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  • 百分百原装正品假一罚十!技术支持!代理
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 厂家Diodes Incorporated 
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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市芯必得电子科技有限公司

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  • 只做原装全系列供应可提供技术支持
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  • 上海磐岳电子有限公司

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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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产品型号ZXTN25012EFLTA的概述

芯片 ZXTN25012EFLTA 的概述 ZXTN25012EFLTA 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),广泛用于开关电源、电机控制和其他高频开关应用。MOSFET 由于其高输入阻抗和低导通电阻的特性,成为现代电子设备中的重要元件。ZXTN25012EFLTA 属于 ZXT 系列,其高电流和电压特性使其适用于各种电源设计和电机驱动方案。 ZXTN25012EFLTA 的详细参数 ZXTN25012EFLTA 的主要参数包括: - 类型: N 沟道 - 最大漏极源极电压 (V_DS): 250V - 最大漏极电流 (I_D): 12A(在适当的散热条件下) - 标准温度范围: -55°C 至 150°C - 导通电阻 (R_DS(on)): 0.12Ω, 在 V_GS=10V ...

产品型号ZXTN25012EFLTA的Datasheet PDF文件预览

ZXTN25012EFL  
12V, SOT23, NPN low power transistor  
Summary  
BV  
BV  
> 12V  
CEO  
ECO  
> 4.5V  
h
> 500  
FE  
I
= 2A  
C(cont)  
V
< 65 mV @ 1A  
= 46 m  
CE(sat)  
CE(sat)  
R
P = 350mW  
D
Description  
C
E
Advanced process capability has been used to achieve high current gain  
hold up making this device ideal for applications requiring high pulse  
currents.  
B
Features  
High peak current  
Low saturation voltage  
6V reverse blocking voltage  
Applications  
E
B
MOSFET and IGBT gate driving  
DC-DC conversion  
C
LED driving  
Interface between low voltage IC's and load  
Pinout - top view  
Ordering information  
Device  
Reel size  
(inches)  
Tape width  
(mm)  
Quantity  
per reel  
ZXTN25012EFLTA  
7
8
3000  
Device marking  
1B6  
Issue 2 - January 2007  
© Zetex Semiconductors plc 2007  
1
www.zetex.com  
ZXTN25012EFL  
Absolute maximum ratings  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Collector-base voltage  
V
V
V
V
20  
V
CBO  
CEO  
ECO  
EBO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-collector voltage  
Emitter-base voltage  
12  
4.5  
7
V
V
V
(a)  
I
2
A
Continuous collector current  
C
Base current  
I
500  
15  
350  
mA  
A
B
Peak pulse current  
I
CM  
(a)  
P
mW  
Power dissipation @ T  
Linear derating factor  
=25°C  
D
amb  
2.8  
mW/°C  
°C  
Operating and storage temperature range  
T , T  
- 55 to 150  
j
stg  
Thermal resistance  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
(a)  
R
357  
°C/W  
Junction to ambient  
JA  
NOTES:  
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in  
still air conditions.  
Issue 2 - January 2007  
© Zetex Semiconductors plc 2007  
2
www.zetex.com  
ZXTN25012EFL  
Characteristics  
Issue 2 - January 2007  
© Zetex Semiconductors plc 2007  
3
www.zetex.com  
ZXTN25012EFL  
Electrical characteristics (at T  
= 25°C unless otherwise stated)  
amb  
Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions  
Parameter  
Collector-base breakdown  
voltage  
BV  
BV  
BV  
BV  
20  
12  
7
40  
17  
8.3  
8
V
V
V
V
I = 100A  
C
CBO  
CEO  
EBO  
ECX  
(*)  
Collector-emitter breakdown  
voltage  
I = 10mA  
C
Emitter-base breakdown  
voltage  
I = 100A  
E
Emitter-collector breakdown  
voltage (reverse blocking)  
6
I = 100A, R Յ1kor  
E
BC  
> -0.25V  
0.25v > V  
BC  
Emitter-collector breakdown  
voltage (base open)  
BV  
4.5  
5.5  
<1  
V
I = 100A,  
E
ECO  
Collector cut-off current  
I
50  
20  
50  
65  
nA  
A  
nA  
mV  
V
V
V
= 16V  
CBO  
CB  
CB  
EB  
= 16V, T  
= 5.6V  
= 100°C  
amb  
Emitter-base cut-off current  
I
<1  
50  
EBO  
(*)  
Collector-emitter saturation  
voltage  
V
I = 1A, I = 100mA  
CE(sat)  
C
B
(*)  
70  
85  
mV  
mV  
mV  
mV  
I = 1A, I = 10mA  
C
B
(*)  
105  
235  
830  
130  
300  
950  
I = 2A, I = 40mA  
C
B
(*)  
I = 5A, I = 100mA  
C
B
(*)  
Base-emitter saturation  
voltage  
V
V
I = 2A, I = 40mA  
BE(sat)  
C
B
(*)  
Base-emitter turn-on voltage  
745  
850  
mV  
I = 2A, V = 2V  
BE(on)  
FE  
C
CE  
(*)  
Static forward current transfer h  
ratio  
500  
500  
370  
210  
30  
800 1500  
700  
I = 10mA, V = 2V  
C
CE  
(*)  
(*)  
(*)  
I = 1A, V = 2V  
C
CE  
575  
I = 2A, V = 2V  
C
CE  
335  
I = 5A, V = 2V  
C
CE  
(*)  
55  
I = 15A, V = 2V  
C
CE  
Transition frequency  
Output capacitance  
f
260  
MHz I = 50mA, V = 10V  
T
C
CE  
f = 100MHz  
(*)  
C
25  
35  
pF  
V
= 10V, f = 1MHz  
obo  
CB  
Delay time  
Rise time  
t
t
t
t
71  
70  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
= 10V  
(d)  
CC  
I = 1A,  
C
(r)  
(s)  
(f)  
I
= I = 10mA  
B2  
B1  
Storage time  
Fall time  
233  
72  
NOTES:  
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width Յ300s; duty cycle Յ2%.  
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4
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ZXTN25012EFL  
Typical characteristics  
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5
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ZXTN25012EFL  
Package outline - SOT23  
E
e
e1  
b
3 leads  
D
L1  
E1  
A
L
c
A1  
Dim.  
Millimeters  
Min. Max.  
Inches  
Dim.  
Millimeters  
Inches  
Max. Max.  
0.075 NOM  
Min.  
-
Max.  
0.044  
0.004  
0.020  
0.008  
0.120  
Min.  
Max.  
A
A1  
b
-
1.12  
0.10  
0.50  
0.120  
3.04  
e1  
E
1.90 NOM  
0.01  
0.30  
0.085  
2.80  
0.0004  
0.012  
0.003  
0.110  
2.10  
1.20  
0.25  
0.45  
-
2.64  
1.40  
0.62  
0.62  
-
0.083  
0.104  
0.055  
0.024  
0.024  
-
E1  
L
0.047  
0.018  
0.018  
-
C
D
L1  
-
e
0.95 NOM  
0.0375 NOM  
Note: Controlling dimensions are in millimeters. Approximate dimensions are provided in inches  
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ZXTN25012EFL  
Intentionally left blank  
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ZXTN25012EFL  
Definitions  
Product change  
Zetex Semiconductors reserves the right to alter, without notice, specifications, design, price or conditions of supply of any product or  
service. Customers are solely responsible for obtaining the latest relevant information before placing orders.  
Applications disclaimer  
The circuits in this design/application note are offered as design ideas. It is the responsibility of the user to ensure that the circuit is fit for  
the user’s application and meets with the user’s requirements. No representation or warranty is given and no liability whatsoever is  
assumed by Zetex with respect to the accuracy or use of such information, or infringement of patents or other intellectual property rights  
arising from such use or otherwise. Zetex does not assume any legal responsibility or will not be held legally liable (whether in contract,  
tort (including negligence), breach of statutory duty, restriction or otherwise) for any damages, loss of profit, business, contract,  
opportunity or consequential loss in the use of these circuit applications, under any circumstances.  
Life support  
Zetex products are specifically not authorized for use as critical components in life support devices or systems without the express written  
approval of the Chief Executive Officer of Zetex Semiconductors plc. As used herein:  
A. Life support devices or systems are devices or systems which:  
1. are intended to implant into the body  
or  
2. support or sustain life and whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the  
labeling can be reasonably expected to result in significant injury to the user.  
B. A critical component is any component in a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to  
cause the failure of the life support device or to affect its safety or effectiveness.  
Reproduction  
The product specifications contained in this publication are issued to provide outline information only which (unless agreed by the  
company in writing) may not be used, applied or reproduced for any purpose or form part of any order or contract or be regarded as a  
representation relating to the products or services concerned.  
Terms and Conditions  
All products are sold subjects to Zetex’ terms and conditions of sale, and this disclaimer (save in the event of a conflict between the two  
when the terms of the contract shall prevail) according to region, supplied at the time of order acknowledgement.  
For the latest information on technology, delivery terms and conditions and prices, please contact your nearest Zetex sales office.  
Quality of product  
Zetex is an ISO 9001 and TS16949 certified semiconductor manufacturer.  
To ensure quality of service and products we strongly advise the purchase of parts directly from Zetex Semiconductors or one of our  
regionally authorized distributors. For a complete listing of authorized distributors please visit: www.zetex.com/salesnetwork  
Zetex Semiconductors does not warrant or accept any liability whatsoever in respect of any parts purchased through unauthorized sales channels.  
ESD (Electrostatic discharge)  
Semiconductor devices are susceptible to damage by ESD. Suitable precautions should be taken when handling and transporting devices.  
The possible damage to devices depends on the circumstances of the handling and transporting, and the nature of the device. The extent  
of damage can vary from immediate functional or parametric malfunction to degradation of function or performance in use over time.  
Devices suspected of being affected should be replaced.  
Green compliance  
Zetex Semiconductors is committed to environmental excellence in all aspects of its operations which includes meeting or exceeding reg-  
ulatory requirements with respect to the use of hazardous substances. Numerous successful programs have been implemented to reduce  
the use of hazardous substances and/or emissions.  
All Zetex components are compliant with the RoHS directive, and through this it is supporting its customers in their compliance with  
WEEE and ELV directives.  
Product status key:  
“Preview”  
“Active”  
Future device intended for production at some point. Samples may be available  
Product status recommended for new designs  
“Last time buy (LTB)”  
Device will be discontinued and last time buy period and delivery is in effect  
“Not recommended for new designs” Device is still in production to support existing designs and production  
“Obsolete”  
Production has been discontinued  
Datasheet status key:  
“Draft version”  
This term denotes a very early datasheet version and contains highly provisional information, which  
may change in any manner without notice.  
“Provisional version”  
“Issue”  
This term denotes a pre-release datasheet. It provides a clear indication of anticipated performance.  
However, changes to the test conditions and specifications may occur, at any time and without notice.  
This term denotes an issued datasheet containing finalized specifications. However, changes to  
specifications may occur, at any time and without notice.  
Zetex sales offices  
Europe  
Americas  
Asia Pacific  
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Kustermann-park  
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Fax: (44) 161 622 4446  
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Issue 2 - January 2007  
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配单直通车
ZXTN25012EFLTA产品参数
型号:ZXTN25012EFLTA
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:DIODES INC
零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:1.46
Samacsys Description:Diodes Inc ZXTN25012EFLTA NPN Bipolar Transistor, 2 A, 12 V, 3-Pin SOT-23
最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):260 MHz
最大关闭时间(toff):305 ns
最大开启时间(吨):141 ns
  •  
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