欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AP01N40J 参数 Datasheet PDF下载

AP01N40J图片预览
型号: AP01N40J
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 4 页 / 72 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
 浏览型号AP01N40J的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AP01N40J的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP01N40J的Datasheet PDF文件第4页  
AP01N40J
电气特性@ T
j
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=150
o
C)
3
o
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=1mA
V
GS
= 10V ,我
D
=0.5A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=0.5A
V
DS
=400V, V
GS
=0V
V
DS
=320V
,
V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=1A
V
DS
=320V
V
GS
=10V
V
DD
=200V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=200Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
分钟。
400
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.5
-
-
-
2.9
0.6
0.6
7.7
12
23
73
76
11
4
MAX 。单位
-
16
3
-
10
100
±100
4.6
-
-
-
-
-
-
125
-
-
V
Ω
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
栅源漏
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
3
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
3
测试条件
I
S
= 2A ,V
GS
=0V
I
S
= 1A ,V
GS
=0V
dI/dt=100A/µs
分钟。
-
-
-
典型值。
-
260
460
MAX 。单位
1.5
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
o
2.Starting牛逼
j
= 25℃ ,V
DD
= 50V ,L = 1MH ,R
G
=25Ω
3.Pulse测试
本产品对静电敏感的,请小心处理。
本产品已合格的消费市场。应用或使用AS严格标准组件生命支持
设备或系统都没有授权。
2/4