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AP01N40J 参数 Datasheet PDF下载

AP01N40J图片预览
型号: AP01N40J
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 4 页 / 72 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP01N40J
1.2
0.6
T
C
=25 C
1
o
I
D
,漏电流( A)
0.8
V
G
= 6.0 V
I
D
,漏电流( A)
10V
9.0V
8.0V
7.0V
0.5
T
C
=150
o
C
10V
9.0V
8.0V
7.0V
V
G
= 6.0 V
0.4
0.6
0.3
0.4
0.2
0.2
0.1
0
0
4
8
12
16
20
24
0
0
4
8
12
16
20
24
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.2
3
归BV
DSS
(V)
归一化ř
DS ( ON)
1.1
I
D
=0.5A
V
G
=10V
2
1
1
0.9
0.8
-50
0
50
100
150
0
-50
0
50
100
150
T
j
,结温( C)
o
T
j
,结温( C)
o
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
10
2.4
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2
I
S
(A)
T
j
= 150
o
C
1
T
j
= 25
o
C
V
GS ( TH)
(V)
1.6
1.2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.8
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温(
o
C )
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4