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AP4501GD 参数 Datasheet PDF下载

AP4501GD图片预览
型号: AP4501GD
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内容描述: N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 85 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP4501GD
P- CH电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
V
GS
= -10V ,我
D
=-5A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-3A
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
o
C)
j
=25
漏极 - 源极漏电流(T
o
C)
j
=70
分钟。
-30
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.03
-
-
-
9
-
-
-
9
2
5
10
7
27
16
460
180
130
9
MAX 。单位
-
-
50
90
-3
-
-1
-25
±100
15
-
-
-
-
-
-
730
-
-
14
V
V/℃
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25
℃,
I
D
=-1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ,我
D
=-5A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=-5A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
R
G
=6Ω,V
GS
=-10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
2
测试条件
I
S
= -1.7A ,V
GS
=0V
I
S
= -5A ,V
GS
=0V,
dI/dt=100A/µs
分钟。
-
-
-
典型值。
-
21
18
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫,T <10sec ;安装在分当90 ℃ / W 。铜垫。
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