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AP4501GD 参数 Datasheet PDF下载

AP4501GD图片预览
型号: AP4501GD
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内容描述: N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 85 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP4501GD
P沟道
20
20
T
A
=25 C
-I
D
,漏电流( A)
15
o
-I
D
,漏电流( A)
-10V
-8.0V
-6.0V
V
G
= - 4. 0 V
T
A
=150 C
15
o
-10V
-8.0V
-6.0V
V
G
= - 4. 0 V
10
10
5
5
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
4
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
240
1.8
I
D
=- 3 A
T
A
=25
190
I
D
=-5A
V
G
= -10V
归一化ř
DS ( ON)
1.4
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
140
1
90
40
2
4
6
8
10
0.6
-50
0
50
100
150
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.4
100.00
10.00
归-V
GS ( TH)
(V)
1.1
-I
S
(A)
1.00
T
j
=150 C
o
T
j
=25 C
o
0.8
0.10
0.01
0.1
0.4
0.7
1
1.3
0.5
-50
0
50
100
150
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
6/7