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AP60L02GP 参数 Datasheet PDF下载

AP60L02GP图片预览
型号: AP60L02GP
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 84 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP60L02GS/P
250
150
T
C
=25
o
C
200
T
C
=150
o
C
V
G
=10V
I
D
,漏电流( A)
V
G
=10V
V
G
=8.0V
I
D
,漏电流( A)
V
G
=8.0V
100
150
V
G
=6.0V
100
V
G
=6.0V
50
V
G
=4.0V
50
V
G
=4.0V
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
26
1.8
24
I
D
=25A
T
c
=25
I
D
=25A
1.6
V
G
=10V
22
18
归一化ř
DS ( ON)
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
20
1.4
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
1.2
16
14
1
12
0.8
10
8
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
(V)
T
j
,结温(
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温