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    AP60L02GP 参数 Datasheet PDF下载

    AP60L02GP图片预览
    型号： AP60L02GP
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 84 K
    品牌： A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号AP60L02GP的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AP60L02GP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP60L02GP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP60L02GP的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AP60L02GP的Datasheet PDF文件第6页  
    AP60L02GS/P
    60
    70
    50
    60
    50
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    40
    40
    30
    P
    D
    (W)
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    30
    20
    20
    10
    10
    0
    0
    0
    50
    100
    150
    T
    c
    ，外壳温度（ C）
    o
    T
    c
    ，外壳温度（ C）
    o
    图5.最大漏极电流V.S.
    图6.典型功耗
    外壳温度
    1000
    1
    DUTY=0.5
    归热响应（R
    thJC
    )
    100
    10us
    0.2
    0.1
    0.05
    I
    D
    (A)
    100us
    0.1
    0.02
    P
    DM
    10
    1ms
    10ms
    100ms
    0.01
    单脉冲
    t
    T
    T
    c
    =25
    o
    C
    单脉冲
    1
    1
    10
    占空比系数= T / T
    PEAK牛逼
    j
    = P
    DM
    个R
    thJC
    + T
    C
    0.01
    V
    DS
    (V)
    100
    0.00001
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    T，脉冲宽度（S ）
    图7.最大安全工作区
    图8.有效的瞬态热阻抗

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