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APT45GP120B2DQ2G 参数 Datasheet PDF下载

APT45GP120B2DQ2G图片预览
型号: APT45GP120B2DQ2G
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内容描述: 功率MOS 7 IGBT [POWER MOS 7 IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制双极性晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 439 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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TYPICAL PERFORMANCE CURVES  
APT45GP120B2DQ2(G)  
10,000  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
Cies  
1,000  
100  
10  
Coes  
60  
Cres  
40  
20  
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000  
V , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE  
CE  
V
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)  
CE  
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage  
Figure 18,Minimim Reverse Bias Safe Operating Area  
0.25  
0.20  
0.9  
0.15  
0.10  
0.7  
0.5  
Note:  
t
1
0.3  
t
2
0.05  
0
t
1
t
/
2
Duty Factor D =  
Peak T = P x Z  
0.1  
SINGLE PULSE  
10-3  
+ T  
C
J
DM  
θJC  
0.05  
10-5  
10-4  
10-2  
10-1  
1.0  
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)  
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration  
170  
100  
RC MODEL  
Junction  
temp. (°C)  
50  
0.0296  
0.087  
0.000782  
0.0150  
0.185  
Fmax = min (fmax, fmax2  
)
0.05  
10  
5
fmax1  
=
=
Power  
(watts)  
td(on) + tr + td(off) + tf  
Pdiss - Pcond  
Eon2 + Eoff  
fmax2  
T
T
=
125°C  
75°C  
J
=
C
0.0837  
D = 50 %  
V
R
TJ - TC  
RθJC  
=
800V  
Pdiss  
=
CE  
= 5Ω  
G
Case temperature. (°C)  
1
10 20 30 40 50 60 70 80 90  
I , COLLECTOR CURRENT (A)  
C
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current  
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL