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APT75GP120B2 参数 Datasheet PDF下载

APT75GP120B2图片预览
型号: APT75GP120B2
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内容描述: 功率MOS 7 IGBT [POWER MOS 7 IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 98 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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典型性能曲线
160
140
I
C
,集电极电流( A)
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
APT75GP120B2
160
140
I
C
,集电极电流( A)
VGE = 10V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
V
CE
,集气器 - 发射极电压( V)
T
C
=25°C
T
C
=125°C
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
V
CE
,集气器 - 发射极电压( V)
T
C
=25°C
T
C
=125°C
图1中,输出特性(Ⅴ
GE
= 15V)
250
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
图2中,输出特性(Ⅴ
GE
= 10V)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
50
100 150 200 250 300
栅极电荷( NC)
图4中,栅极电荷
350
I
C
= 75A
T
J
= 25°C
I
C
,集电极电流( A)
200
V
CE
=240V
V
CE
=600V
150
TJ = -55°C
100
TJ = 25°C
TJ = 125°C
V
CE
=960V
50
0
0
2
3
4 5
6 7
8
9 10
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图3 ,传输特性
I
C
= 150A
TJ = 25°C 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
1
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
5
5
I
C
= 150A
I
C
= 75A
3
I
C
= 37.5A
2.0
4
I
C
= 75A
3
I
C
= 37.5A
2
4
1
1.0
VGE = 15V 。
250μs的脉冲测试
<0.5 %占空比
8
10
12
14
16
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图5 ,通态电压VS门极 - 发射极电压
1.2
0
6
25
50
75
100
125
T
J
,结温( ° C)
图6 ,通态电压VS结温
300
0
0
BV
CES
,集电极 - 发射极击穿
电压(归)
I
C,
DC集电极电流( A)
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
-50
250
200
150
50
0
-50
050-7424
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与结温
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图8 , DC集电极电流与外壳温度
版本B
5-2003
100