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APT75GP120B2 参数 Datasheet PDF下载

APT75GP120B2图片预览
型号: APT75GP120B2
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内容描述: 功率MOS 7 IGBT [POWER MOS 7 IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 98 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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典型性能曲线
20,000
10,000
资本投资者入境计划
I
C
,集电极电流( A)
APT75GP120B2
350
300
250
200
150
100
50
C,电容( F)
P
1,000
500
卓越中心
100
50
CRES
0
10
20
30
40
50
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
图17 ,电容VS集电极 - 发射极电压
10
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
V
CE
,集电极到发射极电压
图18 , Minimim开关安全工作区
0
0.14
0.12
0.9
0.10
0.7
0.08
0.5
0.06
0.04
0.02
0
0.3
注意:
PDM
t1
t2
Z
θ
JC
,热阻抗( ℃/ W)
0.1
0.05
单脉冲
10
-5
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间(秒)
图19A ,最大有效瞬态热阻抗,结到外壳与脉冲持续时间
10
-4
1.0
遥控模型
连接点
TEMP (℃)
0.00792
0.00354F
140
100
F
最大
,工作频率(千赫)
50
动力
(瓦特)
0.0475
0.0307F
0.0656
外壳温度( ° C)
0.361F
10
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 800V
R
G
= 5
图19B ,瞬态热阻抗模型
.3
10
30
50
70
90
110 130 150
I
C
,集电极电流( A)
图20 ,工作频率与集电极
当前
F
最大
=
分(F
max1
, f
MAX 2
)
f
max1
=
f
MAX 2
=
P
DISS
=
t
D(上)
0.05
+
t
r
+
t
D(关闭)
+
t
f
5-2003
050-7424
版本B
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
T
J
T
C
R
θ
JC