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APT75GP120B2 参数 Datasheet PDF下载

APT75GP120B2图片预览
型号: APT75GP120B2
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内容描述: 功率MOS 7 IGBT [POWER MOS 7 IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 98 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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APT75GP120B2
40
t
D(关闭)
,关断延迟时间(纳秒)
t
D(上)
,导通延迟时间(纳秒)
350
V
GE
=15V,T
J
=125°C
300
250
200
150
100
50
0
V
CE
= 600V
R
G
= 5Ω
L = 100 μH
V
GE
=
10V,T
J
=25°C
V
GE
=
15V,T
J
=25°C
V
GE
=
10V,T
J
=125°C
30
V
GE
= 10V
20
V
GE
= 15V
10
V
CE
= 600V
T
J
= 25 ° C或125°C
R
G
= 5Ω
L = 100 μH
0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图9 ,导通延迟时间与集电极电流
120
100
t
r,
上升时间(纳秒)
R
G
=
5Ω, L
=
100
µ
H,V
CE
=
600V
T
J
=
25或125°C ,V
GE
=
10V
0
0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图10 ,关闭延迟时间与集电极电流
160
R
G
=
5Ω, L
=
100
µ
H,V
CE
=
600V
140
T
J
=
125°C ,V
GE
=
10V或15V
120
80
t
f,
下降时间(纳秒)
100
80
60
40
60
40
20
T
=
25或125°C ,V
GE
=
15V
J
0
10
40
70
100
130
160
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图11 ,电流上升时间与集电极电流
20
0
T
J
=
25 ° C,V
GE
=
10V或15V
10
40
70
100
130
160
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图12 ,电流下降时间与集电极电流
12000
E
关闭
,关闭能量损失( μJ )
V
CE
= 600V
L = 100 μH
R
G
= 5
14000
E
ON2
,开启能量损失( μJ )
12000
10000
8000
6000
4000
2000
V
CE
= 600V
L = 100 μH
R
G
= 5
T
J
= 125°C ,V
GE
=15V
10000
T
J
=125°C,V
GE
=10V
T
J
=
125°C ,V
GE
=
10V或15V
8000
6000
T
J
= 25 ° C,V
GE
=15V
4000
2000
0
T
=
25 ° C,V
GE
=
10V或15V
J
0
10
40
70
100
130
160
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图13 ,开启能量损耗VS集电极电流
20000
开关损耗( μJ )
V
CE
= 600V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
T
J
= 25 ° C,V
GE
=10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
CE
,集电极到发射极电流( A)
图14 ,关闭能量损失VS集电极电流
15000
开关损耗( μJ )
V
CE
= 600V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
E
on2
150A
E
关闭
150A
E
on2
150A
12500
10000
7500
5000
2500
0
15000
10000
E
on2
75A
5000
E
on2
37.5A
E
关闭
37.5A
10
20
30
40
50
R
G
,栅极电阻(欧姆)
图15 ,开关损耗与栅极电阻
0
E
关闭
75A
E
关闭
150A
E
on2
75A
5-2003
E
关闭
75A
E
关闭
37.5A
0
E
on2
37.5A
版本B
050-7424
25
50
75
100
125
T
J
,结温( ° C)
图16 ,开关损耗VS结温