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ACT-F128K32N-120P7Q 参数 Datasheet PDF下载

ACT-F128K32N-120P7Q图片预览
型号: ACT-F128K32N-120P7Q
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内容描述: ACT- F128K32高速4兆位闪存多芯片模块 [ACT-F128K32 High Speed 4 Megabit FLASH Multichip Module]
分类和应用: 闪存内存集成电路
文件页数/大小: 20 页 / 203 K
品牌: AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
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概述,续
,
密封的共烧陶瓷66针, 1.08"平方
PGA或68领先, 0.88"平方米陶瓷鸥
永CQFP封装,工作在
-55 ° C至+ 125 ° C和温度范围
军事环境。
每个闪存芯片的组织结构
128KX8比特和被设计为
在系统编程与标准
系统5.0V Vcc电源。一个12.0V V
PP
is
不需要用于写入或擦除操作。
MCM的也可以用重新编程
标准EPROM编程器(与
正确的插座) 。
标准的ACT- F128K32报价
为60ns和150ns的之间的存取时间,
允许
手术
of
快速
微处理器无需等待。对
消除总线争用,该设备具有
独立的芯片使能( CE)和写使能
(WE) 。在ACT - F128K32是命令集
与JEDEC标准兼容的1兆位
EEPROM的。命令被写入到
命令
注册
运用
标准
微处理器写时序。注册
内容作为输入到内部
状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也
内部锁存器需要的地址和数据
对于编程和擦除操作。
读数据从器件中是类似
从12.0V Flash或EPROM读
设备。在ACT - F128K32编程
通过执行程序命令
序列。这将调用嵌入式
程序算法是一个内部
算法,自动倍
编程脉冲宽度和验证正确
电池余量。典型地,每个扇区可
编程并在小于0.3核实
第二个。擦除由完成
执行擦除命令序列。
这将调用嵌入式擦除
算法,它是一个内部算法
自动preprograms阵列, (如果
它尚未之前编程)
在执行擦除操作。中
擦除,设备会自动倍
擦除脉冲宽度和验证适当的细胞
利润率。
该模块或任何个人在每一个死亡
扇形模具通常被擦除并
在1.3秒验证(如果已经
完全预编程) 。
每个芯片还设有一个扇区擦除
架构。该部门模式允许
要擦除的存储器16K字节的块
和再编程,而不影响其他
块。在ACT - F128K32被删除时,
从工厂运出。
该器件采用5.0V单电源
用于读取和写入操作电源
功能。
lnternally
产生
提供了用于调节电压
编程和擦除操作。低V
CC
探测器
自动
抑制
操作上的功率损耗。年底
编程或擦除是通过检测数据
D7或通过触发位查询功能
D6 。一旦编程或擦除的结束
周期已经完成, - +上的设备
内部复位到读模式。
每个管芯的所有位,或在所有的位
界的模具,通过将被删除
福勒 - Nordhiem隧道。字节
编程一个字节的时间进行热
电子注入。
DESC标准​​军事绘图系统( SMD )
号被释放。
艾法斯电路技术
2
SCD1667 REV A 97年4月28日纽约州Plainview的( 516 ) 694-6700