欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

ACT-F1M32B-100F14I 参数 Datasheet PDF下载

ACT-F1M32B-100F14I图片预览
型号: ACT-F1M32B-100F14I
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: ACT- F1M32高速32兆引导块闪存多芯片模块 [ACT-F1M32 High Speed 32 Megabit Boot Block FLASH Multichip Module]
分类和应用: 闪存内存集成电路
文件页数/大小: 9 页 / 152 K
品牌: AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
 浏览型号ACT-F1M32B-100F14I的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ACT-F1M32B-100F14I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ACT-F1M32B-100F14I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ACT-F1M32B-100F14I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ACT-F1M32B-100F14I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ACT-F1M32B-100F14I的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ACT-F1M32B-100F14I的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ACT-F1M32B-100F14I的Datasheet PDF文件第9页  
绝对最大额定值
参数
案例工作温度范围
存储温度范围
在任一引脚相对于GND (除V电压
CC
, V
PP
, A
9
和RP )
(1)
引脚上的电压
9
或者RP相对于GND (除V
CC
, V
PP
, A
9
和RP )
(1,2)
V
PP
编程电压相对于GND在块擦除/和字/字节写
(1,2)
VCC电源电压相对于地
(1)
输出短路电流
(3)
范围
-55到+125
-65到+150
-2.0到+7.0
-2.0至13.5
-2.0至14.0
-2.0到+7.0
100
单位
°C
°C
V
V
V
V
mA
注意事项:
1.最小直流电压为-0.5V输入/输出引脚。在转换过程中,输入可能下冲至-2.0V的时期<为20ns 。输入/输出最大直流电压
引脚为VCC + 0.5V ,这可能会过冲至Vcc + 2.0V的时期<为20ns 。
在2 Vpp的最大直流电压过冲至+ 14.0V的时期<为20ns 。在RP或最大直流电压
9
可能会过冲至V
CC
+ 0.5V的时期<20nS
3.输出短路时间不超过1秒。不超过一个的输出短路,在同一时间。
注意:超出上述"Absolute最高配置Rating"上市可能会造成永久性的损害。这些压力额定值只。操作超出了"Oper-
ATION Conditions"是不建议长期暴露超出了"Operation Conditions"可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
5V电源电压( 10 % )
3.3V电源电压( ± 0.3V ) (咨询厂家)
V
IH
V
IL
T
A
输入高电压( 3.3V & 5V V
CC
)
输入低电压( 3.3V & 5V V
CC
)
工作温度(军事)
最低
+4.5
+3.0
+2.0
-0.5
-55
最大
+5.5
+3.6
V
cc
+ 0.5
+0.8
+125
单位
V
V
V
V
°C
电容
( F = 1MHz的,T
A
= 25°C)
符号
C
AD
C
OE
C
CE
C
RP
C
WE
C
WP
C
I
/
O
参数
A0 - A19电容
OE电容
CE电容
RP电容
WE电容
WP电容
I / O0 - I / O31电容
最大
50
50
20
50
60
50
20
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
电容设计保证,但未经测试。
直流特性 - CMOS兼容
(T
A
= -55 ° C至+ 125°C ,V
CC
= + 4.5V至+ 5.5V ( 5V操作) ,或+ 3.0V至+ 3.6V ( 3.3V操作) ,除另有规定外)
+3.3V V
CC
(1)
参数
输入负载电流
输出漏电流
VCC待机电流
VCC深度掉电电流
VCC读取电流
VCC写入电流
符号
I
IL
I
LO
I
CCS
I
CCD
I
CCR
I
CCW
1
I
CCW
2
VCC擦除电流
I
CCE
1
I
CCE
2
VCC擦除挂起电流
V
PP
待机电流
艾法斯电路技术
+5.0V V
CC
标准
-1
-10
最大
+1
+10
600
32
260
200
180
180
160
48
60
µA
µA
µA
µA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
µA
单位
条件
V
CC
= V
CC
最大,V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= V
CC
最大,V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= V
CC
最大, CE = RP = WP = V
CC
± 0.2V
V
CC
= V
CC
最大,V
IN
= V
CC
或GND , RP = GND ± 0.2V
V
CC
= V
CC
最大, CE = GND , F = 10MHz时( 5V ) ,为5MHz ( 3.3V ) ,
I
OUT
= 0毫安,输入= GND ± 0.2V或V
CC
± 0.2V
V
PP
= V
PPH
1
(在5V ) ,字写在进步( X32 )
V
PP
= V
PPH
2
(在12V ) ,字写在进步( X32 )
V
PP
= V
PPH
1
(在5V ) ,块擦除进展
V
PP
= V
PPH
2
(在12V ) ,块擦除进展
CE = V
IH
,块擦除挂起
V
PP
& LT ; V
PPH
2
3
典型
-1
-10
最大
+1
+10
440
32
120
120
100
120
100
32
60
I
CCES
I
PPS
SCD1661B REV A 97年1月16日纽约州Plainview的( 516 ) 694-6700