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ACT-F1M32B-100F14I 参数 Datasheet PDF下载

ACT-F1M32B-100F14I图片预览
型号: ACT-F1M32B-100F14I
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内容描述: ACT- F1M32高速32兆引导块闪存多芯片模块 [ACT-F1M32 High Speed 32 Megabit Boot Block FLASH Multichip Module]
分类和应用: 闪存内存集成电路
文件页数/大小: 9 页 / 152 K
品牌: AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
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电路科技
订购信息
型号
ACT–F1M32B–080F14C
ACT–F1M32B–100F14C
ACT–F1M32B–120F14C
ACT–F1M32B–080F14I
ACT–F1M32B–100F14I
ACT–F1M32B–120F14I
ACT–F1M32B–080F14M
ACT–F1M32B–100F14M
ACT–F1M32B–120F14M
ACT–F1M32B–080F14Q
ACT–F1M32B–100F14Q
ACT–F1M32B–120F14Q
筛选
商用(0 ° C至+ 70 ° C)
商用(0 ° C至+ 70 ° C)
商用(0 ° C至+ 70 ° C)
工业级(-40° C至+ 85°C )
工业级(-40° C至+ 85°C )
工业级(-40° C至+ 85°C )
军用( -55 ° C至+ 125°C )
军用( -55 ° C至+ 125°C )
军用( -55 ° C至+ 125°C )
DESC图纸待定
MIL -PRF- 38534标准
DESC图纸待定
MIL -PRF- 38534标准
DESC图纸待定
MIL -PRF- 38534标准
速度
80纳秒
100纳秒
120纳秒
80纳秒
100纳秒
120纳秒
80纳秒
100纳秒
120纳秒
80纳秒
100纳秒
120纳秒
CQFP
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产品型号明细
ACT- ˚F 1M 32 B- 080 F14 M
艾法斯电路
技术
内存类型
S = SRAM
F = FLASH EEPROM
E = EEPROM
D =动态RAM
存储深度,位置
内存宽度,位
引脚配置选项
B =底部引导块(标准) ,
T =热门引导块(特殊订货)
内存速度, NS ( + 5V V
CC
)
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
筛选
C =商用温度0 ° C至+ 70°C
I =工业级温度-40 ° C至+ 85°C
T =军用温度, -55 ° C至+ 125°C
M =军用温度, -55 ° C至+ 125°C ,屏蔽
*
Q = MIL - PRF- 38534标准/ SMD (如果适用)
套餐类型&大小
表面贴装封装
F14 = 0.94" SQ 68铅\\双腔CQFP
*
筛选,以MIL -STD- 883的单项测试方法
艾法斯电路技术
35南服务路
Plainview的纽约11830
www.aeroflex.com/act1.htm
艾法斯电路技术
电话: ( 516 ) 694-6700
传真:
(516) 694-6715
免费电话咨询: ( 800 ) 843-1553
电子邮件: sales-act@aeroflex.com
9
SCD1661B REV A 97年1月16日纽约州Plainview的( 516 ) 694-6700