ACT-F512K32N-060P3I 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ACT-F512K32N-060P3I
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内容描述：	ACT- F512K32高速16兆位闪存多芯片模块 [ACT-F512K32 High Speed 16 Megabit FLASH Multichip Module]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	20 页 / 239 K
品牌：	AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]

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概述，续

密封的共烧陶瓷66针， 1.08"SQ PGA

或68领先， .88"SQ陶瓷鸥翼型CQFP

包工作在温度

范围为-55 ° C至+ 125°C和军事

环境。

每个闪存芯片的组织结构

512KX8比特和被设计为

在系统编程与标准

系统5.0V Vcc电源。一个12.0V V

不

在用于写或擦除操作。该

MCM还可以与标准重新编程

EPROM编程器（用适当的插座）。

标准的ACT- F512K32提供接入

为60ns和150ns的，允许的时间

的高速微处理器的操作

无需等待。为了消除总线

争用，该设备具有单独的芯片

使能（CE ）和写使能（WE ）。该

ACT - F512K32是命令集兼容

JEDEC标准

兆

EEPROM的。

命令被写入命令

注册使用标准的微处理器写

计时。寄存器的内容作为输入到

内部状态机，它控制

擦除和编程电路。写周期

同时在内部锁存地址和数据

所需的编程和擦除

操作。

读数据从器件中是类似

读取12.0V Flash或EPROM器件。

在ACT - F512K32由编程

执行程序命令序列。

这将调用嵌入式程序

算法，它是一个内部算法

自动时间的编程脉冲宽度

并验证正确的电池余量。典型地，每个

部门可以进行编程，并在更短的验证

超过1秒钟。擦除由完成

执行擦除命令序列。这

将调用嵌入式擦除算法

这是一个内部算法，该算法

自动preprograms阵列，（如果它不是

已编程）在执行前

擦除操作。在擦除时，设备

自动倍擦除脉冲宽度和

验证正确的电池余量。

该模块或任何个人在每一个死亡

扇形模具典型地擦除和验证

在1.5秒内（如果已经完全

预编程）。

每个芯片还设有一个扇区擦除

架构。该部门模式允许64K

要擦除的存储字节块和

重新编程，而不会影响其它的块。

出厂时的ACT- F512K32被删除

从工厂。

该器件采用5.0V单电源

用于读取和写入操作电源

功能。 lnternally生成和调节

提供了用于将程序电压和

擦除操作。低V

探测器

自动抑制在写入操作

失电。编程或擦除的结束是

通过D7的数据轮询或切换的检测

在D6位功能。一旦节目结束

或擦除周期已经完成，该装置

内部复位到读模式。

每个管芯的所有位，或在所有的位

扇形

死了，

是

删除

通过

福勒 - Nordhiem

隧道。

字节

是

编程一个字节的时间由热电子

注入。

DESC标准军事绘图系统（ SMD ）

号被释放。

艾法斯电路技术

SCD1665 REV B 01年6月29日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700

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