设备操作
在ACT- F512K32 MCM是由四，四
兆位闪存芯片。下面的描述是针对
单个闪光装置，是适用于每个四
在MCM内的内存芯片。芯片1被区别
CE
1
和I / O
1-7
，芯片2 CE
2
和I / 0
8-15
， 3芯片通过CE认证
3
和I / 0
16-23
和4片由CE
4
和I / 0
24-31
.
在ACT- F512K32的编程是通过完成
执行程序命令序列。
该
程序算法，它是一个内部算法，
自动时间的编程脉冲宽度和验证
适当的细胞状态。扇区可进行编程和
在不到一秒的验证。擦除完成
通过执行擦除命令序列。擦除
算法，这是内部的，自动preprograms
如果它尚未被执行前程序性阵列
擦除操作。
在擦除时，设备
自动倍擦除脉冲宽度和验证
适当的细胞状态。整个存储器通常被擦除
并验证了在1.5秒内（如果预编程） 。该
行业模式允许内存64K字节的块是
擦除和重新编程，而不会影响其它的块。
如果设备被擦除过程中取消选择或
编程，该装置将利用有功电流，直到
操作完成。
写
设备擦除和编程是通过完成
命令寄存器。该寄存器的内容服务
作为输入到内部状态机。状态机
输出决定了设备的功能。
命令寄存器本身不占有
可寻址的存储器位置。该寄存器锁存器
用于存储指令，以及地址和数据
所需的信息来执行命令。该
命令寄存器被写入通过使WE为逻辑低
电平（V
IL
） ，而CE为低， OE是在V
IH
。地址
被锁在WE或CE的下降沿为准
后来发生的情况。数据被锁存的上升沿
以先到为准WE或CE 。
标准
微处理机写定时被使用。请参见AC
方案特点和波形，图3 ，
图8和13 。
A
总线操作
读
对ACT - F512K32具有两个控制功能，两者的
它必须是逻辑上的活性，得到的数据
输出。芯片使能（ CE ）是功率控制和
应该用于设备的选择。输出使能（ OE ）
是输出控制，并应被用于栅极的数据
芯片的输出引脚选择。图7示出
AC读取时序波形。
命令德网络nitions
设备操作由写入特定选择
地址和数据序列到命令寄存器。
表3中定义了这些寄存器的命令序列。
读/复位命令
通过写入的启动的读或复位操作
读/复位命令序列进入命令
注册。微处理器读周期获取数组数据
从存储器。该装置仍处于启用状态的读取
直到命令寄存器的内容被改变。
设备会自动开机，在读/复位
状态。在这种情况下，不要求一个命令序列
读取数据。标准的微处理器读周期会
检索数组数据。
设备会自动
电时，在读/复位状态。在这种情况下，一
指令序列并不需要读出的数据。
标准的微处理器读周期将检索阵
数据。此默认值确保没有假
改变存储器内容的权力过程中发生
过渡。请参阅AC阅读特点及
图7为在特定的定时参数。
表2 - 扇区地址表
输出禁用
在逻辑高电平与输出使能（V
IH
从输出）
该设备被禁用。输出引脚被置于高
阻抗状态。
待机模式
在ACT- F512K32待机模式下功耗小于
6.5毫安。在待机模式下，输出是在高
阻抗状态，独立于OE输入。
表1 - 巴士运营
手术
读
待机
输出禁用
写
ENABLE行业
保护
VERIFY行业
保护
CE OE WE A0 A1 A6 A9
L
H
L
L
L
L
L
X
H
H
V
ID
L
H
X
H
L
L
H
A
0
A
1
A
6
A
9
X
X
X
X
X
X
X
X
I / O
DOUT
高Z
高Z
D
IN
X
CODE
A18 A17
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
A16
0
1
0
1
0
1
0
1
地址范围
00000H 〜地址0FFFFh
10000H 〜 1FFFFH
20000H 〜 2FFFFh
30000H 〜 3FFFFH
40000H 〜 4FFFFh
50000H 〜 5FFFFh
60000H 〜 6FFFFh
70000h 〜 7FFFFH
A
0
A
1
A
6
A
9
X
L
X
H
X
L
V
ID
V
ID
SA5
SA6
SA7
艾法斯电路技术
5
SCD1665 REV B 01年6月29日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
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