绝对最大额定值
符号
T
C
T
英镑
V
G
T
L
参数
闪存数据保留
闪存耐久性（写入/擦除周期）
10年
10,000
等级
情况下的工作温度
储存温度
最大信号电压对地
最大焊接温度（ 10秒）
范围
-55到+125
-65到+150
-0.5到+7
300
单位
°C
°C
V
°C
正常工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
最低
+4.5
+2.2
-0.5
最大
+5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
电容
(
V
IN
= 0V ， F = 1MHz的，T
C
= 25°C
)
符号
C
AD
C
OE
F / S·C
WE
1,2
F / S·C
CE
1,2
F / S·C
I
/
O
参数
A
0
–
A
16
电容
OE电容
F / S写使能电容
F / S芯片使能电容
I / O
0
- I / O
15
电容
最大
50
50
20
20
20
单位
pF
pF
pF
pF
pF
这些参数由设计保证，但未经测试
DC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ，除非另有说明）
参数
输入漏电流
输出漏电流
符号
I
LI
I
LO
条件
V
CC
=最大，V
IN
= 0至V
CC
FCE = SCE = V
IH
， OE = V
IH ，
V
OUT
= 0至V
CC
SCE = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
=
马克斯， FCE = V
IH
FCE = SCE = V
IH
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，
V
CC
=最大
I
OL
= 8毫安， V
CC
= 4.5V
I
OH
= -4.0毫安， V
CC
= 4.5V
FCE = V
IL
， OE = V
IH
， SCE = V
IH
FCE = V
IL
， OE = V
IH
， SCE = V
IH
I
OL
= 12 mA时， V
CC
= 4.5V ， SCE = V
IH
民
最大单位
10
10
250
40
0.4
µA
µA
mA
mA
V
V
100
130
0.45
mA
mA
V
V
V
SRAM的工作电源电流×16模式I
CC
x16
待机电流
SRAM输出低电压
SRAM输出高电压
闪光的Vcc工作电流为读（ 1 ）
闪光的Vcc工作电流为程序或
擦除（ 2 ）
闪光输出低电压
闪光输出高电压
闪存VCC低于上锁电压
I
SB
V
OL
V
OH
I
CC1
I
CC2
V
OL
V
OH
V
LKO
2.4
I
OH
= -2.5毫安， V
CC
= 4.5V ， SCE = V
IH
0.85× V
CC
3.2
注： 1）我
CC
目前上市的包括直流工作电流和（在5MHz ）的频率依赖分量。的频率分量通常是少
比2毫安/ MHz的，与OE在V
IH
2) I
CC
积极而嵌入式Algorithim （编程或擦除）正在进行3 ）直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
艾法斯电路技术
2
SCD1677 REV A 98年4月28日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
