FLASH交流特性 - 读操作只有
（VCC = 5.0V ， VSS = 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能到输出有效
芯片使能到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
从地址， CE或OE变化输出保持，以先到为准
注1：由设计保证，但未经测试
符号
–60
–70
–90
单位
JEDEC Stand'd最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
0
60
60
60
30
20
20
0
70
70
70
35
20
20
0
90
90
90
40
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
FLASH交流特性 - 写/擦除/编程操作， FWE控
（VCC = 5.0V ， VSS = 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
芯片使能建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
芯片使能保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间
扇区擦除时间
芯片擦除时间
阅读恢复时间之前写
VCC建立时间
输出使能设置时间
输出使能保持时间
1
符号
JEDEC Stand'd
t
AVAC
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHEH
t
WHWL
t
万好万家
1
t
万好万家
2
t
万好万家
3
t
GHWL
t
VCE
t
OES
t
OEH
t
WC
t
CE
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CH
t
WPH
–60
–70
–90
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
60
0
30
0
30
0
45
0
20
14
典型值
60
120
0
50
12.5
10
10
0
50
12.5
10
70
0
35
0
30
0
45
0
20
14
典型值
60
120
0
50
12.5
90
0
45
0
45
0
45
0
20
14
典型值
60
120
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
µs
µs
美国证券交易委员会
ns
注：1。切换和数据查询。
闪存AC特征 - 写/擦除/编程操作， FCE控制
（VCC = 5.0V ， VSS = 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
写使能设置时间
芯片使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能保持从写使能高
芯片使能脉冲宽度高
字节编程的时间
扇区擦除时间
芯片擦除时间
阅读恢复时间
芯片编程时间
符号
JEDEC Stand'd
t
AVAC
t
WLE
L
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHWH
t
EHEL
t
万好万家
1
t
万好万家
2
t
万好万家
3
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WH
t
CPH
–60
–70
–90
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
60
0
35
0
30
0
45
0
20
14
典型值
60
120
0
12.5
0
12.5
70
0
35
0
30
0
45
0
20
14
典型值
60
120
0
12.5
90
0
50
0
50
0
50
0
20
14
典型值
60
120
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ns
美国证券交易委员会
t
GHEL
艾法斯电路技术
5
SCD1677 REV A 98年4月28日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
