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UT8CR512K32-17VCC 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	UT8CR512K32-17VCC
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内容描述：	UT8CR512K32 16兆位的SRAM [UT8CR512K32 16 Megabit SRAM]
分类和应用：	内存集成电路静态存储器
文件页数/大小：	16 页 / 318 K
品牌：	AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]

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写周期

Wn的组合比V少

IL

（ max）和恩小于

V

IL

（最大值）定义一个写周期。克州是一个“不关心”

对于一个写周期。的输出被放置在高阻抗

状态时，或者G是大于V

IH

（分钟），或者当Wn中少

比V

IL

（最大值）。

写周期1 ，写使能控制的访问被定义

由Wn的终止写会很高，恩仍然有效。

写脉冲宽度为t定义

WLWH

当写操作

由Wn中发起的，并且用t

ETWH

当由恩开始写。

除非输出已经预先放置在高

由G阻抗状态时，用户必须等待吨

WLQZ

申请前

数据到8个双向引脚DQN （ 7：0 ），以避免总线

争。

写周期2 ，芯片使能控制的访问被定义

写经前的恩Wn的或即将停止终止。

写脉冲宽度为t定义

WLEF

当写操作

由Wn中发起的，并且用t

ETEF

当被启动的写

恩去激活。为Wn的启动的写入，除非该输出

已经预先放置在高阻抗状态由G ，

用户必须等待吨

WLQZ

应用数据的前八

双向引脚DQN （ 7 ： 0 ），以避免总线冲突。

抗辐射

该UT8CR512K32 SRAM采用了特殊的设计和

布局功能，允许在有限的辐射操作

环境。

表2.辐射硬度

设计规范

1

总剂量

重离子

错误率

2

300K

8.9x10

-10

Rad公司（SI ）

错误/位天

注意事项：

1. SRAM不受闭锁粒子>100MeV厘米

2

/毫克。

2. 10％的最坏情况下的粒子的环境中，地球同步轨道， 100密耳

铝。

电源排序

无电源电压定序要求V之间

DD1

和

V

DD2

.

3

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