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AS4C1M16E5-60JI 参数 Datasheet PDF下载

AS4C1M16E5-60JI图片预览
型号: AS4C1M16E5-60JI
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内容描述: 5V 1M × 16的CMOS DRAM( EDO ) [5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 601 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4C1M16E5
®
绝对最大额定值
参数
输入电压
输入电压( DQS)
电源电压
存储温度(塑料)
焊接温度
×
时间
功耗
短路输出电流
符号
V
in
V
DQ
V
CC
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
-1.0
-1.0
-1.0
-65
最大
+7.0
V
CC
+ 0.5
+7.0
+150
260
×
10
1
50
单位
V
V
V
°C
o
C
×
美国证券交易委员会
W
mA
真值表
地址
手术
待机
字读
低字节
高字节
(早期)写
低字节
(早期)写
高字节
(早期)写
读写
第一个周期
EDO阅读
第二个周期
任何周期
第一个周期
EDO写
EDO
读写
只有RAS
刷新
CBR刷新
第二个周期
第一个周期
第二个周期
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H到L
LCAS
H与X
L
L
H
L
L
H
L
H到L
H到L
的LtoH
H到L
H到L
H到L
H到L
H
L
UCAS
H与X
L
H
L
L
H
L
L
H到L
H到L
的LtoH
H到L
H到L
H到L
H到L
H
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
H到L
H
H
H
L
L
H到L
H到L
X
H
OE
X
L
L
L
X
X
X
的LtoH
L
L
L
X
X
的LtoH
的LtoH
X
X
t
R
X
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
不适用
不适用
ROW
不适用
ROW
不适用
ROW
X
t
C
X
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
不适用
COL
COL
COL
COL
不适用
X
DQ0到DQ15
高-Z
数据输出
低字节,
高位字节,数据出
低字节,
数据输出,高字节
DATA IN
低字节,数据中,
高字节,高Z
低字节,高Z ,
高位字节,在数据
数据输出,数据在
数据输出
数据输出
数据输出
DATA IN
DATA IN
数据输出,数据在
数据输出,数据在
高Z
高Z
3
1,2
2
2
2
1
1
1,2
1,2
笔记
4/11/01; v.1.0
半导体联盟
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