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AS4C1M16E5-60JI 参数 Datasheet PDF下载

AS4C1M16E5-60JI图片预览
型号: AS4C1M16E5-60JI
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内容描述: 5V 1M × 16的CMOS DRAM( EDO ) [5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 601 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4C1M16E5
®
通用于所有波形AC参数
-45
符号
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
T
t
REF
t
CP
t
拉尔
t
ASC
t
CAH
参数
随机读或写周期时间
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
CAS脉冲宽度
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
CAS到RAS保持时间
RAS到CAS保持时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
转换时间(上升和下降)
刷新周期
CAS预充电时间
列地址到RAS交货时间
列地址设置时间
列地址保持时间
75
30
45
8
15
8
10
40
5
0
8
1
8
25
0
8
最大
10K
10K
35
25
50
16
80
30
50
8
15
9
10
40
5
0
8
1
8
25
0
8
-50
最大
10K
10K
35
25
50
16
100
40
60
10
15
10
10
50
5
0
10
1
10
30
0
10
-60
最大
10K
10K
43
30
50
16
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
7,8
6
9
10
笔记
读周期
-45
符号
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RCS
t
RCH
t
RRH
参数
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从地址访问时间
READ命令设置时间
读命令保持时间CAS
读命令保持时间RAS
0
0
0
最大
45
10
23
0
0
0
-50
最大
50
12
25
0
0
0
-60
最大
60
15
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
12
笔记
9
9,16
10,16
4/11/01; v.1.0
半导体联盟
22第5页