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AS4C1M16E5-60JI 参数 Datasheet PDF下载

AS4C1M16E5-60JI图片预览
型号: AS4C1M16E5-60JI
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内容描述: 5V 1M × 16的CMOS DRAM( EDO ) [5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 601 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4C1M16E5
®
超页模式周期
-45
符号
t
CPWD
t
注册会计师
t
RASP
t
DOH
t
苏亚雷斯
t
WEZ
t
OEZ
t
HPC
t
HPRWC
t
RHCP
参数
CAS预充电,以拖延时间
从CAS预充电时间访问
RAS脉冲宽度
以前的数据来自CAS保持时间
输出缓冲延时关闭从RAS
输出缓冲延时关闭来自WE
输出缓冲延时关闭的OE
超页模式周期时间
超页模式RMW周期
从RAS CAS保持时间
45
45
5
0
0
0
20
47
30
最大
28
100K
13
13
13
45
50
5
0
0
0
20
47
30
-50
最大
28
100K
13
13
13
52
60
5
0
0
0
25
56
35
-60
最大
35
100K
15
15
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
16
笔记
OUTPUT ENABLE
-45
符号
t
CLZ
t
ROH
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
t
OLZ
t
关闭
参数
CAS在低Z输出
RAS保持时间参考OE
OE访问时间
OE数据延迟
输出缓冲器关机延迟从OE
OE命令保持时间
OE在低Z输出
输出缓冲器关断时间
0
8
13
0
10
0
0
最大
13
13
13
0
8
13
0
10
0
0
-50
最大
13
13
13
0
10
15
0
10
0
0
-60
最大
15
15
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
11,13
11
笔记
11
4/11/01; v.1.0
半导体联盟
22第7页