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    AS7C1025B-12TJCN 参数 Datasheet PDF下载

    AS7C1025B-12TJCN图片预览
    型号： AS7C1025B-12TJCN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 5V 128K X 8 CMOS SRAM （中心电源和地） [5V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 104 K
    品牌： ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号AS7C1025B-12TJCN的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AS7C1025B-12TJCN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS7C1025B-12TJCN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS7C1025B-12TJCN的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS7C1025B-12TJCN的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS7C1025B-12TJCN的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS7C1025B-12TJCN的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS7C1025B-12TJCN的Datasheet PDF文件第9页  
    AS7C1025B
    ®
    写周期（在整个工作范围内）
    11
    -10
    参数
    写周期时间
    芯片使能（ CE）写结束
    地址设置写到底
    地址建立时间
    把脉冲宽度
    写恢复时间
    从写结束地址保持
    有效的数据写入结束
    数据保持时间
    写使能到输出中高Z
    从输出的写端活跃
    符号
    t
    WC
    t
    CW
    t
    AW
    t
    AS
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    OW
    民
    10
    8
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    0
    5
    0
    -
    1
    最大
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    5
    -
    12
    9
    9
    0
    8
    0
    0
    6
    0
    –
    1
    -12
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    6
    –
    15
    10
    10
    0
    9
    0
    0
    8
    0
    –
    1
    -15
    最大
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    7
    –
    20
    12
    10
    0
    12
    0
    0
    10
    0
    –
    2
    -20
    最小最大
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    8
    –
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    4, 5
    4, 5
    4, 5
    笔记
    MIN MAX MIN
    写波形1 （我们控制）
    10,11
    t
    AW
    地址
    t
    WP
    WE
    t
    AS
    D
    IN
    t
    WZ
    D
    OUT
    t
    DW
    数据有效
    t
    OW
    t
    DH
    t
    WC
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    WR
    t
    AH
    3/26/04, v. 1.3
    半导体联盟
    9第5页

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