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AS7C1025B-12TJCN 参数 Datasheet PDF下载

AS7C1025B-12TJCN图片预览
型号: AS7C1025B-12TJCN
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内容描述: 5V 128K X 8 CMOS SRAM (中心电源和地) [5V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 104 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS7C1025B
®
写波形2 ( CE控制)
10,11
t
AW
地址
t
AS
CE
t
WP
WE
t
WZ
D
IN
D
OUT
t
DW
数据有效
t
DH
t
CW
t
WC
t
AH
t
WR
AC测试条件
输出负载:见图B.
输入脉冲电平: GND到3.5 V.见图A.
输入上升和下降时间: 2纳秒。如图A所示。
输入和输出的定时参考水平: 1.5V。
+5 V
480
戴维南等效:
168
+3.5 V
GND
90%
10%
2纳秒
90%
10%
D
OUT
255
C
13
D
OUT
+1.728 V
图A :输入脉冲
GND
图B : 5 V输出负载
笔记
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
在V
CC
电时,一个上拉电阻到V
CC
在CE上是为了满足我
SB
特定连接的阳离子。
这个参数进行采样,而不是100 %测试。
对于测试环境,请见
AC测试条件,
图A和B.
t
CLZ
和T
CHZ
在图B过渡指定与CL = 5 pF的,作为被测量
±500
毫伏从稳态电压。
此参数是保证,但不是100 %测试。
WE为高的读周期。
CE和OE是低电平的读周期。
地址先于或重合与CE过渡低有效。
所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
不适用
所有的写周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
不适用。
C = 30 pF的,除非所有高Z和低Z参数,其中C = 5 pF的。
3/26/04, v. 1.3
半导体联盟
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