最终科幻
Am28F010A
1兆位（ 128千×8位）
CMOS 12.0伏，整体擦除闪存与嵌入式算法
特色鲜明
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
CMOS低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 最大100 μA待机电流
- 没有数据保持功耗
s
兼容JEDEC标准的字节宽
32引脚引脚EPROM
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
s
100,000次写/擦除周期最短
s
写入和擦除电压12.0 V
±5%
s
闩锁的保护为100 mA
-1 V到V
CC
+1 V
s
嵌入式擦除电气批量芯片擦除
- 5秒典型芯片擦除，包括
预编程
s
嵌入式程序
- 14 μs的典型字节的程序，包括超时
- 4秒典型芯片项目
s
命令寄存器架构
微处理器/微控制器兼容
写接口
s
芯片上地址和数据锁存器
s
先进的CMOS闪存技术
- 低成本的单晶体管存储单元
s
嵌入式算法完全自定时
写/擦除操作
概述
该Am28F010A是1兆位闪存奥尔加
认列128 KB的每个8位。 AMD的闪存memo-
里斯提供最具成本效益和可靠的读/写
非易失性随机存取存储器。该Am28F010A
封装在32引脚PDIP ，PLCC和TSOP版本。
它被设计成可重新编程和擦除的系统内
或者在标准EPROM编程器。该Am28F010A
从工厂发货时被擦除。
该标准Am28F010A提供快速的存取时间
为70纳秒，允许高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线争用，
该设备有独立的芯片使能（ CE ＃ ）和输出
启用（ OE ＃ ）控制。
AMD的闪存EPROM增强功能
在电路中的电擦除和编程。该
Am28F010A使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中，在保持
最大的EPROM的兼容性。
吨他一米28女性10 0 A为COM PA tibl EWI日前作AMD
Am28F256A ， Am28F512A和Am28F020A闪光
回忆。在Am28Fxxx系列的所有器件按照
JEDEC 32引脚引脚排列标准。此外，所有的设备
出版＃
16778
启：
D
Amendment/+2
发行日期：
1998年5月
这个家族中，提供嵌入式算法使用
相同的命令集。这为设计人员提供了灵活性
相容性，以保持相同的设备尺寸和命令
设置，则在256千位和2兆比特之间的任何浓度。
AMD的闪存技术，可靠地保存存储器CON-
即使经过10万次擦除和编程帐篷。该
AMD单元的设计优化了擦除和编程
明的机制。的，此外，该组合
先进的隧道氧化处理和低内部elec-
擦除和编程操作TRIC场亲
duces可靠的自行车。该Am28F010A使用
12.0±5% V
PP
输入要执行擦除和编程
明的功能。
最高程度的闩锁保护的实现
与AMD专有的非外延工艺。闭锁亲
tection提供了一种用于压力高达100毫安地址
和数据引脚从-1 V到V
CC
+1 V.
AMD的闪存技术，结合多年的EPROM和
EEPROM的经验，以产生最高水平的
质量，可靠性和成本效益。该
Am28F010A同时电擦除所有的位
使用福勒- Nordheim隧穿。该字节
在一次编程一个字节使用EPROM亲
编程热电子注入的机制。
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
