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AM29F080B-90EI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM29F080B-90EI
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内容描述: 8兆位( 1一M× 8位) CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体 [8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory]
分类和应用:
文件页数/大小: 39 页 / 774 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
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数据表
硬件数据保护
解锁周期的命令序列要求
进行编程或擦除提供数据保护
防止意外的写入(参见命令Defi-
nitions表)。此外,下面的硬件数据
保护措施防止意外删除或亲
编程,否则可能由spuri-引起
在V OU的系统级信号
CC
电和
省电转变,或者从系统的噪声。
低V
CC
写禁止
当V
CC
小于V
LKO
,该设备不AC-
概念的任何写周期。这期间, V保护数据
CC
上电和断电。命令寄存器和
所有的内部编程/擦除电路都被禁止,而
设备重置。随后的写操作被忽略,直到V
CC
大于V
LKO
。该系统必须提供
正确的信号给控制引脚,以防止无意中
tional写道:当V
CC
大于V
LKO
.
写脉冲“毛刺”保护
小于5纳秒(典型值)上的OE # , CE#或噪声脉冲
WE#不启动写周期。
逻辑INHIBIT
写周期是由持有OE #任何一个抑制=
V
IL
,CE # = V
IH
或WE # = V
IH
。要启动一个写周期,
CE#和WE#必须是逻辑零而OE#是一个
逻辑之一。
上电时禁止写入
如果WE# = CE # = V
IL
和OE # = V
IH
上电时,该
设备不接受的上升沿命令
的WE# 。内部状态机自动为
重置为读出在上电时阵列的数据。
命令德网络nitions
写具体地址和数据命令或SE-
quences到命令寄存器启动装置OP-
操作。该命令定义表定义
有效的寄存器命令序列。写作
不正确
地址和数据值
或者将它们写在
im-
正确的顺序
设备重置读书阵列
数据。
所有地址锁存WE#的下降沿或
CE# ,以较迟者为准发生。所有的数据被锁存
WE#或CE #的上升沿,发生者为准
第一。请参考相应的时序图
“AC特性”一节。
又见于“为读阵列数据要求”
读操作表提供了读取参
TER值,而读操作时序图显示
时序图。
复位命令
写复位命令到设备重置DE-
副读取阵列数据。地址位无关
此命令。
reset命令可以写成的SE-之间
在之前擦除命令序列quence周期
擦除开始。这将重置设备读取阵列
数据。一旦擦除开始,然而,该装置会忽
NORES重置命令,直到操作完成。
reset命令可以写成的SE-之间
在程序命令序列quence周期BE-
前编程开始。这将重置设备
读阵列数据(也适用于编程
擦除挂起模式) 。一旦程序开始,
然而,该设备忽略,直到复位命令
操作完成。
reset命令可以写成的SE-之间
quence循环中自动选择命令序列。
一旦在自选模式, reset命令
必须
被写入到返回读取阵列数据(也适用
擦除过程中自动选择暂停) 。
如果DQ5云在节目高或擦除操作,
写复位命令返回设备阅读 -
荷兰国际集团数组数据(也适用擦除暂停期间) 。
读阵列数据
该装置会自动设置为读取阵列数据
之后器件上电。没有命令要求
检索数据。该器件还准备读阵列
完成嵌入式程序或EM-后的数据
层状擦除算法。
之后,该设备接受一个擦除挂起命令,
该设备进入擦除挂起模式。该系
TEM可以读取使用读时序标准阵列数据
英格斯,但如果它在读取范围内使用擦除地址
悬浮部门,设备输出状态数据。
在完成编程操作,在擦除之后
暂停模式中,系统可以再次读取阵列
数据具有相同的异常。请参阅“擦除挂起/
此模式。
该系统
必须
发出复位命令重新恩
能的装置,用于读取阵列数据是否DQ5变高,
或者,同时在自动选择模式。请参阅“重设的COM
自选命令序列
自选命令序列允许主机
系统访问的制造商,设备代码,
12
Am29F080B
21503G5 2006年11月1日