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AM29F080B-90EI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM29F080B-90EI
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内容描述: 8兆位( 1一M× 8位) CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体 [8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory]
分类和应用:
文件页数/大小: 39 页 / 774 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
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数据表
quence应当重新开始一旦该装置具有
返回到读出数组数据,以确保数据的完整性。
该系统可确定擦除的状态
通过使用DQ7操作, DQ6 , DQ2或RY / BY # 。看
状态位。当嵌入式擦除算法
完成后,设备返回到读取阵列数据
和地址不再锁定。
化。请参阅“AC擦除/编程操作表
特性“的参数,并在芯片/部门
擦除操作时序的时序波形。
累加器。扇区擦除命令序列应该
能够重新启动,一旦设备已经返回到读
阵列数据,以确保数据的完整性。
当嵌入式擦除算法完成后,
设备返回读取阵列数据和地址
不再锁定。该系统可确定该台站
擦除操作通过使用土族DQ7 , DQ6 , DQ2 ,或
RY / BY # 。请参阅“写操作状态”的信息
化对这些状态位。
化。是指在擦除/编程操作表
在“AC特性”部分参数,并
对于定时扇区擦除操作时序图
波形。
扇区擦除命令序列
扇区擦除是六总线周期的操作。部门
擦除命令序列被写两个非启动
锁循环,接着一个建立命令。两个额外
tional解锁写周期,然后接着是
该扇区的地址被擦除,并且该扇区
擦除命令。该命令定义表
示为仲丁基的地址和数据要求
器擦除命令序列。
该设备不
要求系统进行预编程
之前的记忆中抹去。嵌入式擦除algo-
rithm自动编程和校验部门
前电擦除一个全零的数据模式。该
系统不需要提供任何控制或时序
在进行这些操作时英格斯。
命令序列被写入后,扇区擦除
超时50微秒的开始。在超时期间,
更多的扇区地址和扇区擦除的COM
mands可被写入。加载扇区擦除缓存
可以以任何顺序进行,和仲 - 数
器可以从一个部门到各部门。时间BE-
吐温这些额外的周期必须小于50
μs,
否则的最后地址和命令可能不
接受,并删除可能开始。建议
该处理器的中断在这段时间内被禁用
确保所有的命令都可以接受。该中断可
重新启用后的最后扇区擦除命令是
写的。如果还有其他​​扇区擦除之间的时间
命令可以被认为是小于50微秒,则
系统不需要监控DQ3 。
任何其他命令
在比扇区擦除或擦除挂起
超时时间设备复位读取阵列
数据。
该系统必须重写命令序列
和任何其他扇区的地址和命令。
该系统可以监测DQ3 ,以确定该扇区
清除计时器超时。 (请参阅“ DQ3 :扇区擦除
最后WE#脉冲的命令序列的边缘。
一旦扇区擦除操作已经开始,仅
擦除挂起命令是有效的。所有其他的命令
将被忽略。注意,以
硬件复位
扇区擦除操作将立即终止了选购
14
擦除暂停/删除恢复命令
擦除挂起命令允许系统在 -
中断的扇区擦除操作,然后读出的数据
由,或程序数据,不选择任何扇区
擦除。此命令仅在部门有效
擦除操作,包括50微秒的超时时间
该部门在擦除命令序列。该
如果在写入擦除挂起命令被忽略
芯片擦除操作或嵌入式程序algo-
rithm 。写擦除过程中挂起命令
扇区擦除超时立即终止
超时期限,并暂停擦除操作。 AD-
礼服是“无关位”写入擦除时,可持
挂起命令。
当擦除挂起命令是在一个写
扇区擦除操作时,设备需要最大
20
μs
暂停擦除操作。不过,
当擦除挂起命令中写入
扇区擦除超时,该装置立即三 -
minates的超时期限,并暂停擦除
操作。
经过擦除操作已被暂停时,
系统可以读取来自阵列的数据或程序数据
未选择擦除任何部门。 (该设备“删除
暂停“入选擦除所有部门。 )正常
读写时序和指令定义。
在阅读中擦除暂停仲任何地址
器产生的DQ7 - DQ0状态数据。该系统
可以用DQ7或DQ6和DQ2在一起,以确定
如果一个部门积极擦除或擦除暂停。
见“写操作状态”关于这些信息
状态位。
经过擦除暂停程序运行的COM -
完整,系统可以再次内读阵列数据
非悬挂扇区。该系统可以确定
编程操作的使用DQ7的状态或
DQ6的状态位,正如在标准编程操作
通报BULLETIN 。见“写操作状态”的详细信息
化。
Am29F080B
21503G5 2006年11月1日