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AM29F080B-90EI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM29F080B-90EI
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内容描述: 8兆位( 1一M× 8位) CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体 [8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory]
分类和应用:
文件页数/大小: 39 页 / 774 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
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数据表
RY / BY # :就绪/忙#
该RY / BY #是一个专用,开漏输出引脚
表示嵌入算法是否
进度或完成。该RY / BY #状态后有效
最后WE#脉冲的命令中的上升沿
序列。由于RY / BY #是一个漏极开路输出时,几
ERAL RY / BY #引脚可以连在一起,同时用
上拉电阻到V
CC
.
如果输出为低(忙) ,所述设备被积极地擦除
或编程。 (这包括在编程
擦除挂起模式)。如果输出为高电平(就绪) ,
该设备已准备好读取阵列数据(包括在
擦除挂起模式) ,或处于待机模式。
克读取,复位,程序和擦除显示
RY /的关系BY #其它信号。
写操作状态表显示输出
切换位我上DQ6 。请参考图5,用于切换位
算法,并在触发位时序图
“AC特性”一节的时序图。
在DQ2与DQ6图显示了不同BE-
吐温DQ2和DQ6以图形的形式。也见
款的DQ2 :触发位II 。
DQ2 :触发位II
在DQ2的“触发位II ” ,与DQ6使用时, indi-
凯茨一个特定的扇区是否被积极地擦除
(即,嵌入式擦除算法正在进行中) ,
或者该部门是否擦除暂停。切换位
二是后最终WE#脉冲的上升沿有效
命令序列。
DQ2切换时,系统读取的地址
已选择era-这些部门内
肯定。 (该系统可以使用两种OE #或CE #为CON组
控制读取周期)。但是DQ2不能区分
该部门是否正在积极擦除或擦除可持
挂起。 DQ6 ,通过比较,指示是否
设备正在积极擦除,或者在擦除挂起,但
不能区分哪个部门都选择era-
肯定。因此,这两个状态位所需的扇区和
模式信息。请参考表5比较输出
为DQ2和DQ6 。
形式,而部分“ DQ2 :触发位II ”的解释
算法。又见DQ6 :切换位I小节。
请参阅触发位时序图的触发位
时序图。在DQ2与DQ6图显示昼夜温差
以图形的形式DQ2和DQ6的ferences 。
DQ6 :切换位I
切换位我上DQ6表示是否嵌入式
编程或擦除算法正在进行或完成,
或设备是否已进入擦除挂起
模式。切换位我可以随时读取地址,并且是
后最终WE#脉冲的上升沿有效
命令序列(之前的编程或擦除OP-
关合作) ,并在扇区擦除超时。
在嵌入式编程或擦除算法OP-
关合作,连续读周期的任何地址的原因
DQ6切换。 (该系统可以使用两种OE #或
CE#以控制读周期。 )当操作是
完成后, DQ6停止切换。
经过擦除命令序列写入,如果所有
选择擦除扇区保护, DQ6瓶酒
GLES为约100微秒,然后返回到读
阵列的数据。如果不是所有选定行业的保护,
嵌入式擦除算法擦除外部器件了
tected部门,而忽略选定行业的
被保护。
该系统可以使用DQ6和DQ2在一起来确定
矿井是否部门积极擦除或使用擦除
暂停。当该装置正积极擦除(即,
嵌入式擦除算法正在进行中) , DQ6
切换。当设备进入擦除挂起
模式, DQ6停止切换。然而,系统必须
还可以使用DQ2来确定哪些领域是擦除
还是擦除暂停。或者,系统可以使用
DQ7 (见DQ7小节:数据#查询) 。
如果一个程序的地址属于受保护的部门,
DQ6程序后翻转约2微秒
写入命令序列,然后,返回到读
阵列的数据。
DQ6还擦除挂起程序中切换
模式,并停止切换,一旦嵌入亲
克算法完成。
阅读切换位DQ6 / DQ2
请参考图5,用于下面的讨论。当时─
以往的系统最初开始读触发位台站
土族,它必须至少连续两次读DQ7 - DQ0
确定是否触发位被触发。通常情况下,一个
系统将注意到并存储切换位的值
后的第一个读操作。之后的第二读时,系统
将比较的切换位用的新值
第一。如果触发位是不切换,该装置具有
完成编程或擦除操作。该系
TEM可以阅读以下关于DQ7 - DQ0阵列数据
读周期。
然而,如果在最初的两个读周期中,系统
确定该切换位还是切换,所述
系统还应该注意DQ5的值是否是
高(见DQ5一节) 。如果是,则系统
这时应再次确定触发位是否
来回切换,因为切换位可能已停止瓶酒
岭大战就像DQ5去高。如果触发位不再
来回切换,该设备已成功完成
编程或擦除操作。如果它仍然翻转,则
设备未完成的操作成功,并
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Am29F080B
21503G5 2006年11月1日