数据表
DC特性
TTL / NMOS兼容
参数
符号
I
LI
I
点亮
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
V
IL
V
IH
V
ID
V
OL
V
OH
V
LKO
参数说明
输入负载电流
A9输入负载电流
输出漏电流
V
CC
读取电流（注1,2 ）
V
CC
待机电流
（ CE ＃控制） （注2,5）
测试说明
V
IN
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
V
CC
= V
CC
马克斯， A9 = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
25
30
0.4
0.4
–0.5
2.0
11.5
民
典型值
最大
±1.0
50
±1.0
40
40
1.0
1.0
0.8
V
CC
+ 0.5
12.5
0.45
2.4
3.2
4.2
单位
µA
µA
µA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
CC
写入电流（注2 ， 3 ， 4 ） CE ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
CE＃ = V
IH
， RESET ＃ = V
IH
V
CC
待机电流
RESET ＃ = V
IL
（ RESET ＃控制） （注2,5）
输入低电平
输入高电平
电压自动选择和部门
V
CC
= 5.0 V
保护
输出低电压
输出高电平
低V
CC
锁定电压
I
OL
= 12 mA时， V
CC
= V
CC
民
I
OH
= -2.5毫安V
CC
= V
CC
民
CMOS兼容
参数
符号
I
LI
I
点亮
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
V
IL
V
IH
V
ID
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
参数说明
输入负载电流
A9输入负载电流
输出漏电流
V
CC
读取电流（注1,2 ）
V
CC
待机电流（ CE ＃
控制） （注2,5）
V
CC
待机电流（ RESET ＃
控制） （注2,5）
输入低电平
输入高电平
电压自动选择
和部门保护
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
V
CC
= 5.0 V
I
OL
= 12 mA时， V
CC
= V
CC
民
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= V
CC
民
I
OH
= -100 μA ，V
CC
= V
CC
民
0.85 V
CC
V
CC
– 0.4
3.2
4.2
测试说明
V
IN
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
V
CC
= V
CC
马克斯， A9 = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
CE＃ = V
CC
±
0.5 V,
RESET ＃ = V
CC
±
0.5 V
RESET ＃ = V
SS
±
0.5 V
–0.5
0.7倍V
CC
11.5
25
30
1
1
民
典型值
最大
±1.0
50
±1.0
40
40
5
5
0.8
V
CC
+ 0.3
12.5
0.45
单位
µA
µA
µA
mA
mA
µA
µA
V
V
V
V
V
V
V
V
CC
写入电流（注2 ， 3 ， 4 ） CE ＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
直流特性笔记（表） ：
1.我
CC
目前上市包括通常小于1毫安/兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
2.我最大
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CCmax
.
3. I
CC
积极而嵌入式程序或嵌入式擦除算法正在进行中。
4.未经100％测试。
5.对于只有CMOS模式下，我
CC3
= I
CC4
=在扩展温度范围20 μA最大值（大于+ 85°C ） 。
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Am29F080B
21503G5 2006年11月1日
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
