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AM29F080B-90EI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM29F080B-90EI
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内容描述: 8兆位( 1一M× 8位) CMOS 5.0伏只,统一部门快闪记忆体 [8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory]
分类和应用:
文件页数/大小: 39 页 / 774 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
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数据表
绝对最大额定值
储存温度
塑料封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 125°C
环境温度
与功率应用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
电压对地
V
CC
A9 , OE # , RESET # (注2 ) 。 。 。 。 -2.0 V至12.5 V
所有其他引脚(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -2.0 V至7.0 V
输出短路电流(注3 ) 。 。 。 。 。 。 200毫安
注意事项:
输入或I / O引脚1.最小直流电压为-0.5V。在
电压转换,输入可以过冲V
SS
到-2.0 V
对于高达20纳秒的时间。参见图6。最大直流
电压输出和I / O引脚为V
CC
+ 0.5V。在
电压转换,输出可能会过冲至V
CC
+ 2.0 V
进行达20毫微秒。见图7 。
2.最小直流输入电压A9 , OE # , RESET #引脚是
-0.5V 。在电压转换, A9 , OE # , RESET #引脚
可能会过冲V
SS
至-2.0 V长达20纳秒的时间。
参见图6。最大直流输入电压A9 , OE # ,
和RESET #是12.5 V这可能会过冲至13.5 V的
周期长达20纳秒。
3.没有一个以上的输出短路的时间。持续时间
短路不应大于1秒。
应力大于本节中列出可能导致
永久损坏设备。这是一个压力只有额定值。
该设备在这些或任何其他条件的功能操作
系统蒸发散高于在这个业务部门所标明
规范是不是暗示。曝光装置,以绝对的
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
20纳秒
+0.8 V
–0.5 V
–2.0 V
20纳秒
20纳秒
图6.最大负
冲波形
20纳秒
V
CC
+2.0 V
V
CC
+0.5 V
2.0 V
20纳秒
20纳秒
图7.最大负
冲波形
工作范围
商业( C)设备
环境温度(T
A
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
工业级(I )设备
环境温度(T
A
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
扩展( E)设备
环境温度(T
A
) 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
V
CC
电源电压
V
CC
为± 5 %的设备。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.75 V至5.25 V
V
CC
为± 10 %的设备。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5 V至5.5 V
经营范围界定这些限制之间的
该装置的功能性得到了保证。
2006年11月1日21503G5
Am29F080B
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