AS5145
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的角位移，参照霍尔传感器阵列的磁源的（Q）然后可被建模为：
(
Y1
–
Y2
)
Θ
= ARCTAN
------------------------
± 0.5º
(
X1
–
X2
)
（公式3 ）
在± 0.5度的角度误差假定磁铁最佳比在模具的中心，并且是AS5145的增益失配误差的结果。
在包装内的管芯的放置公差为± 0.235毫米在X和Y方向上，使用的引脚1的边缘作为基准点
（参见图
21).
为了消除外部干扰磁场的强大的差分采样率的影响，以及度量计算算法
由磁源本身或外部干扰磁场。正弦和余弦向量进行比指标分配，则不再需要一个
磁场的精确的绝对大小和磁源从而Z轴精确对准。
的磁场强度的推荐差分输入范围（乙（ X1-X2 ），B（ Y1-Y2 ） ）处为±75mT的模具的表面上。此外
这个范围，附加的± 5MT偏移，造成不必要的外部杂散磁场是允许的。该芯片将继续运行，但与降级
输出的线性度，如果该信号的场强超出建议的范围内。过强的磁场将介绍由于饱和错误
在内部前置放大器的效果。过弱的磁场会引入噪声引起越来越占主导地位的错误。
9.6故障诊断
该AS5145还提供了几种诊断和故障检测功能：
9.6.1
磁场强度诊断
由软件：
该MagINC和MagDEC状态位都将是高当磁场超出范围。
硬件方式：
销＃ 1 （分别为MagINCn ）和＃ 2 （ MagDECn）均为漏极开路输出，并同时导通（ =低，外部上拉电阻）
当磁场超出范围。如果只有一个的输出都为低电平时，磁铁或者朝向芯片运动（分别为MagINCn ）或离
芯片（ MagDECn ） 。
9.6.2
电源故障检测
由软件：
如果电源为AS5145中断，通过SSI所读取的数字数据将全部为“ 0” 。数据才有效，当位OCF为
高，因此，与所有的“0”的数据流是无效的。以确保在出现故障的情况下足够低的水平，一个下拉电阻（〜 10kΩ的）应加
间销DIO和VSS在接收侧。
硬件方式：
在为MagINCn和MagDECn引脚为漏极开路输出，并要求外接上拉电阻。在正常操作中，这些引脚
处于高阻状态，输出为高
（见表9）。
在故障情况下，或者当磁场超出范围的电源是
中断，这些输出都将变为低电平。以确保在发生供电中断足够低的水平的AS5145 ，所述上拉电阻
（〜 10kΩ的）从每一个引脚必须连接到正电源管脚16 （Ⅴ
DD
5V).
硬件方式：
PWM输出： PWM输出是一个具有1kHz重复频率脉冲络绎不绝。在供电中断时，这些脉冲
缺少。
9.7角度输出误差
9.7.1
准确性
准确度是指所测的角度与实际角度之间的误差。它是受几个因素：
- 该非线性模拟 - 数字转换器的
- 内部增益和失配误差
- 非线性由于磁体的错位
为和所有这些错误，磁铁的精确度= （ Errmax - Errmin时） / 2被指定为优于± 0.5度@ 25ºC
（见
图23） 。
磁体的错位会导致精度下降。
图22
显示3D图形的显示非线性过XY-为例
延伸到± 1毫米在两个方向上的失准。图中总的偏离区域覆盖的采用2x2mm （ 79x79mil ）方形带
100微米的步长大小。
对于每个未对准步骤中，测量如图
图23
重复和精确度
（ Errmax - Errmin时）/ 2 （例如，在0.25º
图23）
输入为Z轴的三维曲线图。
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修订版1.10
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