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AS29LV800T-120SC 参数 Datasheet PDF下载

AS29LV800T-120SC图片预览
型号: AS29LV800T-120SC
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内容描述: 3V 1M × 8 / 512K × 16的CMOS闪存EEPROM [3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 25 页 / 440 K
品牌: ANADIGICS [ ANADIGICS, INC ]
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2001年3月
®
AS29LV800
状态操作
数据查询( DQ7 )
在自动化的芯片算法或扇区擦除超时才有效。 DQ7反映
最后写入自动片上程序的算法中读取数据时的补码( 0
在擦除算法) ;反映的完成后,自动读取芯片上时,真正的数据
程序算法(1擦除agorithm完成后) 。
在自动化的芯片算法或扇区擦除超时活跃。 DQ6切换时, CE或OE
切换或擦除恢复命令被调用。 DQ6是有效的之后的第四个上升沿
我们编程时脉;之后,在芯片擦除第六WE脉冲的上升沿;
后扇区擦除的最后一个上升沿脉冲WE扇区擦除。对于受保护的行业,
DQ6擦除过程中切换为<1微秒在程序模式写入和<5微秒(如果所有选定行业
被保护) 。
表示不成功完成方案/擦除操作( DQ5 = 1)。数据轮询遗体
活跃的。如果DQ5在芯片擦除= 1 ,所有或某些部门是有缺陷的;在字节编程或
扇区擦除,扇区是有缺陷的(在这种情况下,复位装置和执行一个程序或擦除
命令序列继续与功能性部门工作) 。试图编程0-1
将设置DQ5 = 1 。
检查扇区擦除定时器窗口是否已打开。如果DQ3 = 1 ,擦除正在进行中;没有命令
将被接受。如果DQ3 = 0时,设备将接受扇区擦除命令。之前检查DQ3和
每个扇区擦除命令后,以验证该命令被接受。
在扇区擦除, DQ2与OE或CE仅在尝试读取扇区被切换
删除。在芯片擦除, DQ2切换与OE或CE的所有地址。如果DQ5 = 1 , DQ2切换
仅在其中发生的故障,并不会触发在其他扇区地址的扇区地址。利用
DQ2与DQ6配合,以确定设备是否处于自动擦除或擦除挂起
模式。
切换第1位( DQ6 )
超过时间限制
(DQ5)
扇区擦除定时器
(DQ3)
触发位2 ( DQ2 )
写操作状态
状态
标准模式
自动编程
编程/擦除的自动擦除
阅读擦除扇区
擦除挂起模式
读非擦除扇区
程序擦除挂起
自动编程(字节)
超过时间限制
编程/擦除的自动擦除
程序擦除挂起
(非擦除暂停的扇区)
DQ2切换时擦除悬浮部门反复读。
DQ6切换时的任何地址被重复读取。
DQ2 = 1 ,如果被编程的字节地址时读擦除暂停程序模式。
DQ2
DQ7
DQ7
0
1
数据
DQ7
DQ7
0
DQ7
DQ6
切换
切换
无切换
数据
切换
切换
切换
切换
DQ5
0
0
0
数据
0
1
1
1
DQ3
不适用
1
不适用
数据
不适用
不适用
不适用
不适用
DQ2
无切换
切换
切换
数据
切换
无切换
切换
无切换
RY / BY
0
0
1
1
0
1
1
1
切换时,读地址采用指向一个部门正处于擦除,擦除暂停,或未能抹去。
3/22/01; V.1.0
半导体联盟
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