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AS29LV800T-120SC 参数 Datasheet PDF下载

AS29LV800T-120SC图片预览
型号: AS29LV800T-120SC
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内容描述: 3V 1M × 8 / 512K × 16的CMOS闪存EEPROM [3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 25 页 / 440 K
品牌: ANADIGICS [ ANADIGICS, INC ]
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2001年3月
®
AS29LV800
命令德网络nitions
描述
开始读或写读/复位命令序列进入命令重置操作
注册。这使得微处理器可以从存储器中检索数据。器件将保持在读
模式,直到命令寄存器的内容被改变。
设备会自动加电时读取/复位状态。此功能只允许读取,因此,
确保上电时不会有虚假的记忆内容的改变。
AS29LV800提供了制造商和设备代码两种方式。外部PROM编程器
通常,通过对驾驶A9 + 10V访问设备代码。 AS29LV800还包含一个ID读
命令来读取,只有+ 3V器件代码,因为多路+ 10V上的地址线是
一般不可取的。
ID读
开始写的ID读命令序列到命令寄存器中读取设备ID。
按照从地址XXX00h读序列返回MFR码。按照ID读命令
顺序从地址XXX01h读出时序返回设备代码。
为了验证写保护状态的行业,读地址XXX02h 。扇区地址A18 -A12产品
1 DQ0上受保护的部门和0的未受保护的部门。
从ID退出阅读模式与读/复位命令序列。
持RESET低500 ns的复位装置,终止正在进行的任何操作;数据
在操作处理被损坏。内部状态机复位20微秒后, RESET驱动
低。 RY / BY保持低电平,直到内部状态机的复位。复位后置高,有延迟
的50纳秒的设备,以允许读操作。
编程AS29LV800是在逐字节或字处理进行4总线周期操作
由字的基础。两个解锁写周期之前的程序设置命令和程序数据
写周期。在执行该程序指令时,没有额外的CPU控制或定时是
有必要的。地址被锁存的CE或WE ,取其最后的下降沿;数据被锁存
在CE或WE的上升沿,取第一个。该AS29LV800的自动片上程序
算法提供了足够的内部产生的编程脉冲和验证
程序性细胞保证金。
字节/字
程序设计
检查程序状态被采样的RY / BY数据引脚,或无论是数据查询( DQ7 )
或者在程序的地址位置触发位( DQ6 ) 。在编程操作完成后,如果
DQ7返回等效的数据,如果DQ6 =无切换,或者如果RY / BY引脚=高。
该AS29LV800忽略编程时写入的命令。发生硬件复位
在编程过程中可能会损坏数据以编程的位置。
AS29LV800允许程序在任何序列,在任何领域的边界。更改数据
0到1需要进行擦除操作。尝试编程数据0 〜1的结果要么DQ5 = 1
(超过编程时间限制) ;读/复位操作后,读这些数据返回0 。
编程时超出时间限制, DQ5读取高, DQ6继续切换。在这
状态,复位命令返回的设备来读取模式。
重置/读取
硬件复位
3/22/01; V.1.0
半导体联盟
25第7页