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AS29LV800T-120SC 参数 Datasheet PDF下载

AS29LV800T-120SC图片预览
型号: AS29LV800T-120SC
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内容描述: 3V 1M × 8 / 512K × 16的CMOS闪存EEPROM [3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 25 页 / 440 K
品牌: ANADIGICS [ ANADIGICS, INC ]
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2001年3月
®
AS29LV800
描述
解锁旁路功能增加在该系统程序字节或字的速度
设备,因为它绕过了标准程序指令序列的前两个解锁周期。
要启动旁路解锁命令序列,两个解锁周期必须写,然后
随后的第三周期具有解锁旁路命令, 20小时。
解锁绕道
命令序列
该设备然后开始解锁旁路模式。为了在这种模式下编程,两个周期
解锁绕道程序顺序是必需的。第一个周期有解锁绕道程序
命令:A0H 。其次是它具有这样的程序的地址和数据的第二周期。对
程序的其他数据,相同的序列必须被遵循。
解锁旁路模式有两个有效的命令,解锁绕道程序命令和
解锁绕道复位命令。该系统可以退出解锁旁路模式的唯一方式是通过
发布解锁旁路复位命令序列。此序列包括两个周期。第一
周期包含的数据, 90H 。第二个周期中包含的数据00H 。地址是不关心
这两个周期。然后设备返回到读取阵列数据。
芯片擦除需要6个总线周期:两个解锁写周期;一个setup命令,另外两个
解锁写周期;最后是芯片擦除命令。
芯片擦除
芯片擦除不需要的逻辑0被擦除前写的。当自动片上
擦除算法被调用,自动芯片擦除命令序列, AS29LV800
程序,并检验整个存储器阵列,用于在擦除之前的全零模式。该29LV800
返回读取芯片擦除完成后,模式,除非DQ5被设置为高超过的结果
时间限制。
扇区擦除需要6个总线周期:两个解锁写周期,一个setup命令,另外两个
解锁写周期,最后的扇区擦除命令。识别扇区被擦除
寻址在扇区中的任何位置。的地址被锁存WE的下降沿;该
命令, 30小时被锁在WE的上升沿。扇区擦除操作开始一个部门后,
擦除超时。
要删除多个部门,写扇区擦除命令,每个扇区的地址
按照上面的六个总线周期操作之后擦除。额外的部门之间的写入时间
必须小于擦除超时期限,或者AS29LV800忽略该命令和擦除
开始。在超时期间,我们中的任何下降沿复位超时。任何命令
在超时周期(比扇区擦除或擦除挂起除外)重置AS29LV800阅读
模式,并且该设备将忽略该扇区擦除命令字符串。删除被忽略这样的行业
重新启动就忽略了行业的扇区擦除命令。
整个阵列不需要被写入与擦除前的0。 AS29LV800写0到整个
行业之前,电擦除;写0只影响特定的行业,让非选择
行业不受影响。 AS29LV800需要在扇区擦除没有CPU控制或定时信号
操作。
自动扇区擦除后扇区擦除时间从我们从最后一个上升沿开始
扇区擦除命令流和结束时的数据查询( DQ7 )是合乎逻辑1.数据查询
地址必须在属于该部门被擦除的地址进行。 AS29LV800
返回到读取模式后扇区擦除,除非DQ5设置了超过时限高。
扇区擦除
3/22/01; V.1.0
半导体联盟
P. 25 8